小米澎湃S2晶片已出樣，採用16nm工藝年底見真機

2020-09-03

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據媒體報導，市場傳出，才剛剛發布首顆手機晶片「澎湃S1」的小米旗下手機晶片廠商松果，已在台積電以 16 納米FinFET工藝下，開始生產下一代 8 核5模的晶片- 「澎湃S2」。

目前，該新款晶片的樣品已經完成，預定 2017 年第 3 季開始進入量產，而在第 4 季搭載於小米的手機上正式問世。

不久前，雷軍才激動滴發布了澎湃S1，不一會兒，澎湃S2就要來了

報導指出，「澎湃S2」的產品設計比第一代晶片「澎湃S1」更加符合市場需求。

尤其，採用台積電的 16納米工藝生產，將比前一代的「澎湃S1 晶片更加省電。

而隨著「澎湃S2」的準備就緒，預計將能將有效地提升代工廠台積電的產能利用率和出貨量。

不過，也因此「幾家歡樂幾家愁」，最後可能排擠到小米對聯發科、高通等專業手機晶片廠的採購量。

報導中進一步指出，近年來，為了提高產品的差異化，小米就有計劃跟進隨蘋果、三星、華為等手機品牌大廠的腳步，投入手機晶片自製的工作。

於是在 2014 年成立旗下的晶片設計廠松果開始，就由與聯芯聯手，由其所提供的「SDR1860」平台技術授權合作，設計自家的晶片產品。

小米於 2017 年 2 月底正式對外發布，第一顆由松果所自行研發的手機晶片「澎湃S1」。

該款晶片使用的是台積電 28 納米的工藝，內建8 核心，雖然與時下推出了同等規格晶片性能差不多。

不過，卻因為工藝的採用較舊式的 28 納米工藝，使得許多消費者質疑，小米的技術仍舊落後高通與聯發科等手機晶片大廠一段時間。

如今，「澎湃S2」的積極推出，則是象徵小米準備在手機晶片上加速追趕。

不過讓人可惜的是澎湃S1的基帶是由聯芯提供的，僅支持 GSM/TDSCDMA/TDD LTE 制式的網絡，而且最高僅支持 Cat 4 150Mbps 的速率，技術上不支持雙載波聚合，不支持 MIMO 或 64QAM，如果澎湃S2延續了澎湃S1的架構，那麼估計依然會採用聯芯的基帶。

小米此次並沒有選擇最先進10納米工藝，目前該工藝良品率偏低。

台灣IC設計廠商指出，台積電第1季10納米工藝技術良率，暫時無法達到具備經濟量產價值的水平。

2017年計劃搶先量產的三星，業界也傳出其10納米工藝良率同樣不如預期。

不過晶圓代工廠商承諾客戶將找出問題，預期第2季可望拉升良率。

成本也是一個重要原因。

松果二代採用16納米而不是10納米是聰明的決策，10納米成本太高，對於小米這種新進入晶片行業者有點難以承受。

當然如果澎湃S2在引入了16納米FinFET工藝後表現優異，其高端晶片V970引入該工藝的可能性也將是相當高的。

之前顯示的消息，松果高端處理器代號為V970，核心參數為4×A73+4×A53的八核架構，大核主頻達到了2.7GHz，小核則為2.0GHz，同時還會配備Mali G71 MP12圖形晶片，主頻速度為900MHz。

搞機人士普遍認為V970會用在小米6S上。

不過，分析師指出，小米積極在手機晶片上的發展，除了效法華為的模式，做出差異化的產品之外，更重要的是恐怕是要藉此回頭砍晶片供應商的價格。

這對包括聯發科或高通來說，不但擠壓了其採購量，售價還可能因此降低，這恐怕將不會是個好的消息。

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