從澎湃S1到S2，小米正在提升晶片設計能力

2020-09-03

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小米的澎湃S1晶片剛剛搭載在小米5C上上市銷售，眼下又有消息指其第二款晶片澎湃S2將上市，不過似乎這顆新晶片並非傳說中的高端晶片V970，而是一款設計與澎湃S1基本一樣的晶片，只不過其工藝更先進，採用了台積電的16nmFinFET工藝，而澎湃S1是28nm工藝。

小米的第一款晶片澎湃S1是八核A53架構，採用了當下大部分中低端晶片所採用的台積電28nm工藝。

在性能方面其實表現還不錯，與高通的驍龍625和聯發科的helio P20相當。

不過由於驍龍625和helio P20採用了台積電的更先進16nmFinFET工藝，在網友的測試中，這兩款晶片的性能表現更為穩定，而澎湃S1則在使用一段時間後出現了性能下降，不過考慮到這幾款晶片都是定位於中低端市場，影響倒不大。

在聯發科和高通的中低端晶片都開始採用了更先進的16nmFinFET工藝時，而小米的澎湃S1還繼續採用28nm工藝也是一種無奈，畢竟這是小米自己第一款晶片，為了控制成本於是採用了成本更低的28nm工藝。

如今其第一款晶片澎湃S1已正式搭載於小米5C上市，特別是GPU性能方面優於驍龍625，市場反映還不錯，這意味著這第一款晶片是基本取得成功，這提升了小米的信心，在這樣的情況下它也就願意投入更多的成本開發晶片，或許正基於這種成功經驗其願意引入更先進的16nmFinFET工藝生產澎湃S2。

當然如果澎湃S2在引入了16nmFinFET工藝後表現優異，其高端晶片V970引入該工藝的可能性也將是相當高的。

台積電當下最先進的工藝是10nm，不過目前還陷於良率提升上，並且即使良率達標，到三季度還要用於生產蘋果的A11處理器；在A11處理器的生產高峰過去後，又需要為華為海思、聯發科提供10nm產能，考慮到當前小米晶片對產能的需求較小其在獲得產能的優先次序上無疑是落於華為海思和聯發科之後的。

在這樣的情況下，其高端晶片V970採用台積電的16nmFinFET工藝的可能性是相當高的。

據說V970的架構與華為海思當前的高端晶片麒麟960一樣，都是四核A73+四核A53架構，而麒麟960正是採用了台積電的16nmFinFET工藝，性能和功耗表現都不差，考慮到成本和10nm產能的問題，V970採用16nmFinFET工藝也是相當合適的，而澎湃S2率先採用16nmFinFET工藝恰恰可以為V970引入該工藝積累經驗。

不過讓人可惜的是澎湃S1的基帶是由聯芯提供的，僅支持中國移動的三模而缺乏支持全網通的能力，如果澎湃S2延續了澎湃S1的架構，那麼估計依然會採用聯芯的基帶。

當然對於小米來說，這頭兩款晶片不可能追求完美，一步到位。

對於V970，筆者認為它會引入高通的基帶，以支持全網通，畢竟當前的中高端手機普遍都支持全網通，小米的V970用於中高端手機上引入高通的基帶會是更合適的選擇。

從澎湃S1到澎湃S2，進而到其高端晶片V970，晶片設計能力步步提升，在短短兩三年內達到接近華為海思和聯發科的水平，對於小米這個晶片行業的新兵來說已經是十分了不起的進步了，後兩者可是經歷了數倍於小米的時間才擁有今天的晶片設計能力。

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媒體普遍引述某分析師的消息指聯發科將推出高規格的P35，並且與helio X30一樣採用10nm工藝，以與高通進行競爭，對此筆者存有相當大的疑問。

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