雖然英特爾在製程數字上落後於台積電和三星
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雖然英特爾在製程數字上落後於台積電和三星，但是英特爾依然表示他們的10nm工藝相當於台積電和三星的7nm。
英特爾在今天對外宣布了10nm工藝的消息。
英特爾稱他們的10 納米工藝使用了超微縮技術 （hyper scaling），充分運用了多圖案成形設計 （multi-patterning schemes），製造出體積更小、成本更低的電晶體。
工藝方面，英特爾10納米製程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。
尺寸的縮小使得邏輯電晶體密度可達到每平方毫米1.008億個電晶體，是之前英特爾14納米製程的2.7倍，大約是業界其他「10納米」製程的2倍。
性能上，與14納米製程相比，英特爾10納米製程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。
相比業界其他所謂的「10
納米」，英特爾10納米製程也有顯著的領先性能。
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