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英特爾正式推出最新10納米製程，據說領先其他同類產品整整一代

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昨日，英特爾執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith在北京手捧10nm工藝Wafer宣布，英特爾正式推出最新的10nm工藝製程。

英特爾10納米工藝採用第三代 FinFET技術，相比其他所謂的「10納米」，英特爾10納米預計將會領先整整一代。

英特爾10 納米工藝使用的超微縮技術 (hyper scaling)，充分運用了多圖案成形設計 (multi-patterning schemes)，並助力英特爾延續摩爾定律的經濟效益，從而推出體積更小、成本更低的電晶體。

英特爾10納米製程將用於製造英特爾全系列產品，以滿足客戶端、伺服器以及其它各類市場的需求。

單個電晶體成本

10納米提高了電晶體密度並降低了單個電晶體成本

英特爾10納米製程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。

尺寸的縮小使得邏輯電晶體密度可達到每平方毫米1.008億個電晶體，是之前英特爾14納米製程的2.7倍，大約是業界其他「10納米」製程的2倍。

10 納米超微縮

柵極間距

10納米的大幅微縮和新特性把電晶體密度提高了2.7倍

電晶體密度

英特爾10納米把邏輯電晶體密度提高了2.7倍

相比之前的14納米製程，英特爾10納米製程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。

相比業界其他所謂的「10 納米」，英特爾10納米製程也有顯著的領先性能。

全新增強版的10 納米製程——10++，則可將性能再提升15%或將功耗再降低30%。

英特爾稱其10納米製程：通過超微縮技術實現業界最高的邏輯電晶體密度。

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