三星和台積電偷笑：就算Intel技術牛又奈我何？

過去幾年時間裡，英特爾雖然在桌面領域仍過著「無敵是多麼空虛」的日子，但是圍繞其晶片製造技術的話題討論越來越多了，特別是與很多開始被人熟知的晶片製造廠商相比，比如台灣的晶片製造商台積電。

很多話題討論的開始，均是基於每一次非英特爾晶片製造商對製造工藝的升級。

最初，台積電和三星明確表示，將以最快的速度從「20納米」過渡的「14/16納米」，而且將會重點發展稱之為「FinFET」的電晶體結構器件，重點宣傳新工藝相比傳統而言晶片面積將得到大幅縮減，適配每一代工藝製程。

另一方面，當時英特爾也正處於22納米工藝技術到14納米的過渡中，並且英特爾也掌握了第二代FinFET（Tri-Gate）器件技術。

不過，英特爾的動作太慢了，導致三星和台積電各自挑釁稱，其16和14納米已經領先英特爾，而英特爾仍無法完全脫離22納米的工藝製程，並且還有事實證明，台積電的20納米工藝的電晶體密度比英特爾的22納米更高。

英特爾從22納米過渡到14納米的時間實在過漫長，這點不假，而且英特爾也意識到了，在工藝製程技術同步發展的過程中，電晶體密度的競爭相當重要。

事實上，面對民間乃至業界廣為談論的誤導性話題，英特爾並沒有刻意的做任何回應，但當英特爾正式公布自家14納米技術時，才真正確定了不可動搖的領先地位。

下圖為英特爾官方提供的邏輯面積比例圖：

從這個英特爾的圖來看，英特爾承認自家的32納米不如28納米工藝，主要是指柵極與柵極之間的間距前者不如後者。

再到22納米與20納米工藝的對比，結果亦是如此。

不過，確實只有在14納米和16納米工藝節點，才超過了其餘競爭對手，確立起領先的地位。

所以，三星和台積電所說的都是事實，這兩大越來越出色的晶片代工廠在20納米製程時代確是領先於英特爾22納米。

但不可否認英特爾新一代14納米更為出色，至少電晶體密度的優勢上超過了其他對手的14/16納米工藝節點。

工藝是一回事，那電晶體的實際性能呢？

多年以來，英特爾從未放棄過任何吹噓自己的晶片技術，只是在台積電和三星上位之後收斂了很多。

而且，難能可貴的是英特爾竟然沒有過度宣傳自家的第二代FinFET工藝，畢竟其餘競爭對手在其14納米問世時，均處於第一代FinFET工藝水平。

簡單的說，英特爾14納米正式問世之初，從電晶體性能的角度來看，整整領先了競爭對手一代。

在很多對晶片深度評測的機構報告中，尤其是權威站點ChipWorks，我們可以看到英特爾14納米電晶體所有性能指標均領先於其他競爭對手。

更重要的是，ChipWorks通過先進的透射電子顯微鏡觀察分析發現，英特爾14納米晶片的電晶體鰭片間距做得最為緊密，堪稱這個星球上迄今最先進的半導體工藝，全面領先代工廠的14/16納米。

英特爾22納米和14納米電晶體鰭片細節對比：

所以，質疑英特爾在電晶體性能優勢競爭中落後的人都該閉嘴了。

為什麼，將下面三星的14納米FinFET工藝電晶體細節與上面英特爾的對比就能明白。

在22納米時代，英特爾的電晶體鰭片的確不夠出色，但14納米鰭片看起來已近乎「垂直」，使得了鰭片更高、更薄，更易於提高電晶體的驅動電流和性能。

而三星的14納米FinFET工藝電晶體細節，請注意看，很顯然更像是2011年英特爾22納米工藝時代的水平，宣稱超越難免有點大嘴了，畢竟無論如何還是基於第一代FinFET工藝打造。

三星14納米FinFET電晶體細節圖：

當然了，性能突飛猛進不太現實，而且英特爾考慮到了移動領域和其他應用的競爭，畢竟在這些領域不需要非常高的CPU頻率。

但說到頻率，英特爾的14nm駕馭大於4GHz不會存在任何技術障礙，而代工廠的14/ 16納米當前仍然相當困難。

代工廠一直在進步

不可否認，在晶片製造業，各大代工廠尤其是三星和台積電的進步非常之大，並且正在加快步伐縮減與英特爾的技術差距，儘管英特爾長期處於領先，但當前十分需要將差距拉開更大。

我們不清楚英特爾是否是缺乏競爭壓力，但在移動領域，三星14納米FinFET、台積電16納米FinFET兩大工藝的競爭可謂空前慘烈，從合夥代工蘋果A9，到爭搶各路訂單，殺得好不熱鬧。

更重要的是，兩大代工廠已經做好了部署全新工藝製程的準備，不止是第二版，還包括第三版。

例如說，台積電第一代是標準的16納米FinFET工藝，之後推出的第二代FinFET Plus（FF+）增強版已經部署。

至於下一代FinFET Compact（FFC）也已經完成了設計研發，並確定本季度就可以投入量產，提前了大半年。

三星方面，其第一代14納米是Low Power Eatly（LPE），現在第二代Low Power Plus（LPP）已經開始量產，重點產品為Snapdragon 820和Exynos 8890。

三星高管聲稱，衍生於第二代的下一版14納米也將很快推出。

更長遠的計劃上，無論是三星和台積電都已經開始朝著10納米的目標邁進。

台積電錶示，10納米今年即可試產，正式批量生產等到2016年年底，或者是2017年的第一季度。

至於三星也提供了大概相同的線路圖，堅稱2016年年底10納米就可量產，2017年一定會出現在手機和平板電腦上。

反觀英特爾，不僅桌面處理器「Tick-Tock」策略在兩年前已經被打破，而且第一款基於10納米工藝的產品按計劃要等至2017年下半年才能推出。

除非英特爾改革研發模式，否則今年年底將喪失工藝領先的地位。

作為半導體晶片領域的巨頭，英特爾長期自信滿滿，但在當前競爭環境中，還真的得加把勁了。

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