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英特爾正式展示10nm工藝技術，牙膏管要擠破了？

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2017年9月19日，英特爾在北京舉辦了"英特爾精尖製造日"活動，向外界展示了多項製程工藝的技術，其中包括最新的10nm製程工藝和性能的細節，並表示將來將挑戰物理極限3nm工藝製程，而且表示自家的10nm工藝有信心完全勝過台積電、三星，從而表明自己在半導體行業中的領軍地位。

英特爾創始人之一戈登·摩爾曾說過當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。

即形成後來的摩爾定律，而這次英特爾的10nm工藝也將印證摩爾定律的存在，10nm通過採用超微縮技術，運用多圖案成形的設計，最小柵極間距從70納米縮小至54納米，最小金屬間距從52納米縮小至36納米。

是英特爾14納米製程的2.7倍。

如此強大的工藝製程，加上英特爾在電腦處理器上的強軍地位，相信在不久的將來，搭配著10nm工藝的英特爾處理器出現在處理器市場上，那必翻對電腦市場有一定大的衝擊。

而今次英特爾還公開與三星、台積電的10nm工藝上的技術基數參數對比，在多方面上都碾壓兩位，從而證明自己在半導體的領導地位。

此外Intel在現場全球首秀了10nm晶圓，還介紹了Intel在工藝上的技術路線圖。

而Intel已經對於矽基半導體極限工藝5nm、3nm進行前沿探索中，其中包括了一些比較先進、前沿具有探索性質的技術，包括了納米線電晶體、III-V族電晶體，3D堆疊、密集內存、密集互聯、EUV團成形、神經元計算以及自旋電子學。

這次英特爾的突然發力，讓我們看見那個科技領軍者依然強大，在未來的電腦處理器市場必定有大改變。

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