英特爾10nm技術震撼亮相，遙遙領先競爭對手

自從幾年前推出14nm技術以來，好久沒有關於英特爾新一點節點技術的進展，有的只是在14nm上的幾個功能和性能升級。

但相反，在競爭對手上卻看到了更多10nm和7nm的進展，甚至市面上已經見到了幾款10nm的晶片。

很多人都在討論Intel的10nm跳票信息，甚至認為英特爾在製程技術上已經落後競爭對手。

每次被問到相關問題的時候，英特爾都會三緘其口。

今日，英特爾終於帶來了最新的10nm技術。

英特爾公司執行副總裁，製造、運營與銷售集團總裁Stacy J·Smith在演講台上正式展出了10nm技術的矽晶圓。

根據英特爾高級院士，技術與製造事業部製程架構與集成總監Mark T·Bohr介紹，由於應用了新的超微縮技術。

新的10nm技術每平方毫米集成的集體管超過1億個。

相比於上一代14nm的3750萬的數字，有了很大的提升。

正如前面所說，這都是基於其新一代超微縮的技術實現的。

根據Mark介紹，英特爾的10nm技術採用了第三代的FinFET技術，對比於前一代的產品。

10nm的鰭片間距從42nm降低到34nm，是前一代的0.81倍；最小金屬間距也從52nm降到36nm，較之前代下降了差不多50%；單元高度也從399nm降為272nm；柵極間距也從70nm降到54nm。

另外虛擬柵極從兩個變成一個，柵極觸點從標準變成COAG。

這幾點締造了10nm晶片的高級性能。

邏輯電晶體密度的提升。

看一下第三代FinFET的提升

還有活躍柵極上的觸點改變帶來的變化

電晶體的性能和功耗也有了很大的提升。

英特爾還將其10nm與競爭對手的技術進行了深刻的對比。

英特爾表示，和以往一樣，英特爾新技術領先競爭對手一代，也就是三年。

例如在性能和功耗方面，英特爾的有功功率較之友商有20%和30%的領先。

在邏輯電晶體密度方面，英特爾較之同樣領先於競爭對手。

SRAM的提升，也對產品的微縮有效提高。

在各項數據對比方面，Intel也基本吊打競爭對手。

另外，據英特爾方面介紹，其10nm可以做到7.6mm²，密度和性能得到了提升。

Mark接著指出，英特爾方面認為，未來的製程升級周期會變長，英特爾會在每一個節點上做很多代的升級，滿足多方面的需求，英特爾也會成為持續推進，研究新技術，成為摩爾定律的堅定推動者。

英特爾表示，10nm技術將會在今年下半年正式量產。