英特爾10nm製程晶圓全球首秀 台積電、三星都被秒成渣渣
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今天，英特爾正式公布了其10nm工藝製程技術，並全球首次展示了10nm晶圓，這將是未來Cannon Lake CPU 最基礎的部分，並將在今年年底前正式投產10nm製程技術的處理器。
據英特爾方面介紹，這一代10nm FinFET擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距，實現了業內最高的電晶體密度。
英特爾的 10 nm 製程技術能夠達到每平方毫米 1 億晶體數，而台積電為 4800 萬，三星為 5160 萬。
同時，英特爾還給出了其10nm製程與台積電、三星的對比，英特爾的 10 nm 製程在鰭片的間距、柵極間距都低於台積電和三星，而且最小金屬間距更是大幅領先競爭對手。
除此之外，相比之前的14nm製程，英特爾10nm製程在性能上做出了25%的提升，而整體功耗則降低了45%，也比於其他業內的10nm製程性能，仍然有著絕對的優勢。
英特爾還宣布將進入中國代工市場，為移動和物聯網設備的設計公司提供代工，尋找中國市場中巨大的機會。
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