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Intel 10nm工藝揭秘：電晶體密度比肩台積電/三星7nm

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集微網消息，作為科技行業著名的「牙膏廠」，英特爾一直走在所有廠商前面。

因為它的10nm製程已經跳票三年之久，每當一款新的處理器發布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續跳票10nm工藝。

對於很多用戶而言，都在疑問為何英特爾一直跳票10nm呢？因為相比起同期的台積電、三星等廠商，10nm工藝早已經量產上市，並已推出蘋果A11、Exynos 9810等晶片，而作為PC領域中的大哥人物，為何英特爾跟不上潮流的發展呢？而今天，外媒TechInsight就給出了一份滿意的答覆。

目前，Intel 10nm處理器已經小批量出貨，已知產品只有一款低壓低功耗的Core i3-8121U，由聯想IdeaPad 330筆記本首發。

TechInsight分析了這顆處理器，獲得了一些驚人的發現，直接證實了Intel新工藝的先進性。

分析發現，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體電晶體技術，電晶體密度達到了每平方毫米1.008億個(符合官方宣稱)，是目前14nm的足足2.7倍！

作為對比，三星10nm工藝電晶體密度不過每平方毫米5510萬個，僅相當於Intel的一半多，7nm則是每平方毫米1.0123億個，勉強高過Intel 10nm。

至於台積電、GF兩家的7nm，電晶體密度比三星還要低一些。

換言之，僅電晶體集成度而言，Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好！

另外，Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠勝對手。

事實上與現有其他10nm以及未來的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標。

Intel 10nm的其他亮點還有：

－ BEOL後端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru)，後者是一種貴金屬

－ BEOL後端和接觸位上首次使用自對齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)

－ 6.2-Track高密度庫實現超級縮放(Hyperscaling)

－ Cell級別的COAG(Contact on active gate)技術

當然了，技術指標再先進，最終也要轉換成有競爭力的產品才算數。

（校對/茅茅）

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