英特爾展示真正10nm工藝 電晶體密度教三星做人
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今天上午Intel在北京召開技術溝通會，向媒體展示了最新的晶元製造技術，也就是英特爾自家的10nm工藝。
會上英特爾在一張PPT中對比了自家10nm和台積電三星的所謂「10nm」工藝的參數。
不僅在所有項目中都優於對手，而且在最重要的邏輯電晶體密度上英特爾10nm工藝更是達到了對手的兩倍。
由PPT可以看到，鰭片間距、柵極間距、最小金屬間距、邏輯單元密度、邏輯電晶體密度等等所有項目。
英特爾10納米工藝都有著明顯優勢。
作為晶片製造業的霸主，這樣的表現理所應當，畢竟以往英特爾都是要領先對手一代甚至兩代，由於跳票的影響被拉到了同一起跑線上自然不會落到下風。
業內一直有個說法，製程工藝上只有英特爾是明碼實價，該是多少就是多少。
而三星台積電的工藝受到宣傳需要的影響，一定意義上只是命名為「14nm」「10nm」的技術而已。
事實上兩家的10nm僅僅比英特爾的14nm++略好。
英特爾此次展示10nm頗有一些教三星台積電做人的意思。
10nm工藝將應用到下一代Cannon Lake CPU上，預計明年下半年將正式上市。
英特爾沿用了四代的14nm工藝也終於將退出歷史舞台。
但英特爾每一代新工藝的應用都或多或少有一些小BUG存在，這次的10nm能否保證如期上市還需要時間的檢驗。
本文編輯：孫斌
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