工藝落後於三星台積電?英特爾:別開玩笑!
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在上周英特爾召開的年度開發者信息技術峰會 IDF 2016 上,晶片巨頭英特爾披露了不少關於當前和未來工藝製程技術的信息,這些東西此前英特爾一直很少提及,或者儘可能少的透露。
那麼,本次大會究竟英特爾提到了哪些細節呢?
第二代 14 納米工藝
英特爾最近談論的話題是基於目前製造技術的「衍生科技(Derivative Technologies)」。
所謂衍生技術,按照英特爾的解釋就是「性能得以提高,以及功能擴展變得越來越普遍」的技術。
為此,英特爾發布了第一個基於衍生技術而來的技術:「14 +」,還可以稱之為「14nm+」或第二代 14 納米技術。
英特爾表示,該「衍生」技術在電晶體和金屬疊層增強的情況下,可以讓處理器起碼得到 12% 左右的性能提升。
很顯然,更完善的第二代 14nm 工藝將率先運用到英特爾即將推出的 Kaby Lake 微架構第七代酷睿處理器上。
如果不出意外的話,2017 年發布的 14 納米伺服器處理器,也將基於「14nm+」 工藝打造。
10 納米工藝同樣分三波產品
英特爾稱,未來發布的 10 納米工藝製程,也將根據衍生科技分疊代更新三次,分別為:「10」、「 10+ 」 和「 10++」,支持多種最為領先的產品。
這就意味著,2017 年下半年發布的 10 納米技術產品只是第一代,隨後還有延續兩代,主要伴隨著晶片底層架構的改進以及相關製程工藝的改進,而迎來適當的性能增強。
英特爾聲稱注重密度優勢 而非趕工
英特爾談到了很多有關製造技術的競爭優勢,特別是晶片單位密集的電晶體密度。
在英特爾看來,在一個固定的晶片面積上,能夠塞進更多的電晶體,則意味著擁有更多的特性和功能,而不是一味的追求新一代工藝製程。
有意思的是,英特爾還諷刺了半導體行業的競爭對手台積電和三星,指出電晶體柵極與柵極之間的間距指標不如自家,特別是即將推出的 10 納米製造技術上密度差距很大,相反英特爾則遙遙領先,電晶體鱗片間距做得最為緊密,而且鱗片更高、更薄,更易於提高電晶體的驅動電流和性能。
需要注意的是,英特爾的 10 納米要等到 2017 年年底,而競爭對手則在今年年底和明年年初。
也就是說,英特爾的新工藝比競爭對手晚了超過至少半年左右的時間。
雖然沒有人否認電晶體密度指標越出色越好,但英特爾不得不面對的事實在於,2018 年上半年台積電就能過渡到 7 納米工藝製程。
我們不清楚,更晚是否意味著某種競爭的劣勢。
當然,儘管台積電聲稱,其 7 納米技術將會在性能和晶片面積方面優於 10 納米,但未提到指定面積下的電晶體數量,所以是否縮小了與英特爾 10 納米技術的差距目前還不清楚。
目前可以確定的是,英特爾的「10」、「 10+ 」 和「 10++」絕對不會在電晶體性能上妥協。
無論如何,英特爾還是那個英特爾,有實力讓任何質疑英特爾在電晶體性能優勢競爭中落後的人都閉嘴,當台積電和三星的工藝製程仍只能用於打造移動晶片的時候,英特爾的就已經實現了多樣化發展,可以在各個市場叱吒風雲,無論是熟悉的伺服器市場,還是傳統 PC 行業,乃至未來的物聯網設備,英特爾似乎做了最充分的準備。
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