領先對手三年!英特爾最強10nm工藝完全碾壓台積電、三星
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摩爾定律不會失效
近幾年,「摩爾定律失效」是近兩年來業界討論的熱門話題。
隨著製程工藝在物理層面越來越接近極限,摩爾定律所詮釋的「當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數目,約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍」的規律逐漸被打破,使得人們對摩爾定律在未來所產生的指導意義產生強烈懷疑。
英特爾公司執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith坦言,隨著工藝的發展,製程節點之間的時間已經延長,這是整個行業都面臨的問題。
據了解,實現全新的製程節點變得愈加困難,成本也更加昂貴。
僅僅是把設備安裝到已有晶圓廠中,就要花費70億美元,越來越少的公司可以承擔得起推進摩爾定律的成本。
但這並不意味著摩爾定律已經失效。
Stacy Smith在會上表示:「每一個節點電晶體數量會增加一倍,14nm和10nm都做到了,而且電晶體成本下降幅度前所未有,這表示摩爾定律仍然有效。
」Stacy Smith解釋道,「創新技術,可以保證摩爾定律長期有效。
」
10nm工藝直接PK友商,刀刀見紅
今年6月份,高通總裁里克·阿伯利在台灣表示過往被稱為處理器龍頭的Intel在10nm製程技術明顯落後情況, 似乎也顯示傳統PC市場確實面臨改革。
高通曾表示驍龍835處理器採用的是三星10nm晶片製造技術,這意味著其移動晶片超過了個人計算機處理器。
對於業界的質疑,英特爾直言不諱表示,對於競爭對手三星、台積電等公司,英特爾的技術上仍然具有領先性。
第一, Stacy Smith今天提到了製程節點命名的混亂,他認為製程技術應該以實踐進行度量。
;「我們在14nm上採用了超微縮技術,讓英特爾能夠加速推進電晶體密度的提升,藉助節點內優化,產品功能每年都可以實現增強。
與競爭對手相比,14nm領先3年。
可以看到友商電晶體密度並沒有提升,友商10nm節點電晶體密度只相當於我們14nm的電晶體密度。
」Stacy Smith認為。
第二,英特爾在會上高調推出了10nm工藝,Stacy Smith全球首次展示「Cannon Lake」10納米晶圓,它擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距,從而實現了業內最高的電晶體密度,領先其他「10納米」整整一代,以時間來算,則領先3年時間。
英特爾在會場上放出了10納米技術與競爭對手的數據對比情況,英特爾稱在柵極間距、最小金屬間距間技術指標上都處於領先地位。
英特爾10 納米工藝使用了超微縮技術 (hyper scaling),充分運用了多圖案成形設計 (multi-patterning schemes),可以助力英特爾延續摩爾定律的經濟效益,從而推出體積更小、成本更低的電晶體。
在工藝方面,英特爾10納米製程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米,且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。
尺寸的縮小使得邏輯電晶體密度可達到每平方毫米1.008億個電晶體,是之前英特爾14納米製程的2.7倍,大約是業界其他「10納米」製程的2倍。
相比之前的14納米製程,英特爾10納米製程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。
相比業界其他所謂的「10 納米」,英特爾10納米製程也有顯著的領先性能。
全新增強版的10 納米製程——10++,則可將性能再提升15%或將功耗再降低30%。
開放最強工藝,英特爾進入中國代工市場
除了10nm工藝,英特爾公司技術與製造事業部副總裁、晶圓代工業務聯席總經理Zane Ball在大會上分享了英特爾在代工業務方面的戰略。
Zane Ball指出,英特爾正大規模進入代工市場,包括為移動和物聯網設備的設計公司提供代工。
英特爾元晶代工業務重點關注兩大細分市場:網絡基礎設施、移動和互聯設備,可以輸出22納米、14納米、10納米和22FFL等技術。
除此之外,英特爾還可以提供聯合優化設計套件、矽晶驗證的IP和創新的封裝測試能力等。
英特爾特別關注中國代工市場的機會。
Zane Ball表示,在全球半導體市場上,來自中國的消費達到了58.5%,但中國無圓晶廠全球占比為25%,中國半導體領域擁有巨大的機會。
除了自己人Altera和展訊(Intel是股東)之外,英特爾將通過代工業務加深與中國夥伴的合作,接受22nm FL/14nm FinFET/10nm FinFET等代工合同,助力中國技術生態系統蓬勃發展。
不過,Intel和三星一樣,代工的問題主要是「樹敵」過多。
因為他們是為數不多既懂設計又有工廠(Fab)的公司,不像台積電那樣人畜無害,也不像高通、AMD、華為等只做設計。
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