英特爾公布10納米製程,密度提升性能加強

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PingWest品玩9月19日報導,英特爾今天公布了10納米工藝製程的消息。

目前全球性能最高的是14納米電晶體,業內大多數使用的還算是14/16/20納米製程,英特爾的10納米工藝預計會領先整整一代。

英特爾10 納米工藝使用了超微縮技術 (hyper scaling),充分運用了多圖案成形設計 (multi-patterning schemes),可以助力英特爾延續摩爾定律的經濟效益,從而推出體積更小、成本更低的電晶體。

未來英特爾10納米製程將用於製造英特爾全系列產品。

在工藝方面,英特爾10納米製程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米,且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。

尺寸的縮小使得邏輯電晶體密度可達到每平方毫米1.008億個電晶體,是之前英特爾14納米製程的2.7倍,大約是業界其他「10納米」製程的2倍。

性能上,相比之前的14納米製程,英特爾10納米製程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。

相比業界其他所謂的「10 納米」,英特爾10納米製程也有顯著的領先性能。

另外,英特爾執行副總裁 Stacy J.Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 納米製程技術所打造的晶圓,這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎的部分,並將會在 2017 年底前正式投產 10 納米製程技術的處理器。

圖源:新浪科技

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