英特爾：全球製程工藝創新者和引領者

2020-09-19

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智能互聯時代，數據洪流洶湧而生，對計算力的需求前所未有。

英特爾始終以領先的製程工藝提供不斷躍升的計算力，並將電晶體密度作為引領製程工藝發展的首要準則。

英特爾以突破性技術和持續創新不斷打破摩爾定律失效「魔咒」，過去15年里在業界廣泛應用的主要製程工藝創新都由英特爾推動，並始終擁有至少三年的領先優勢。

電晶體密度：

衡量製程工藝領先性的首要準則

目前一些競爭友商公司的製程節點名稱並不準確，無法正確體現這個製程位於摩爾定律曲線的哪個位置。

摩爾定律是指每一代製程工藝的電晶體密度加倍，縱觀發展史，業界在命名新製程節點時會比上一代縮小30%，這種線性縮放意味著電晶體密度提高一倍，是符合摩爾定律的。

近來，也許是因為進一步的製程升級越來越難，一些競爭友商公司背離了摩爾定律的法則，即使電晶體密度增加很少，或者根本沒有增加，但他們仍繼續推進採用新一代製程節點命名。

電晶體密度是衡量製程工藝領先性的首要準則。

英特爾提出的指標是基於標準單元的電晶體密度，包含決定典型設計的權重因素，從而得出一個之前被廣泛接受的電晶體密度公式：

這個公式可用於任何製造商的任何晶片晶片，且已被業界廣泛使用，它能夠明確、一致地測量電晶體密度，並為晶片設計者和客戶提供關鍵信息，準確比較不同製造商的製程。

通過採用這個指標，業界可以改變製程節點命名的亂象。

英特爾10納米：

電晶體密度是其他競爭友商「10納米」的2倍

英特爾10納米製程採用第三代FinFET技術，相比其他競爭友商「10 納米」製程領先整整一代。

英特爾10納米製程的電晶體密度達到每平方毫米1.008 億個電晶體，是之前英特爾14納米製程的2.7倍，是業界其他競爭友商「10納米」製程的約2倍。

相比之前的14納米製程，英特爾10納米製程實現多達25%的性能提升和45%的功耗降低。

全新增強版的10納米製程——10++，可將性能再提升15%並將功耗再降低 30%。

英特爾10納米製程計劃於2017年底投產，2018年上半年實現量產。

英特爾14納米：

電晶體密度與其他競爭友商「10納米」相當

相比於業界其他競爭友商的16/14納米製程，英特爾14納米製程的電晶體密度是他們的約1.3倍。

業界其他競爭友商「10 納米」製程的電晶體密度與英特爾14納米製程相當，卻晚於英特爾14納米製程三年。

英特爾14納米製程採用第二代 FinFET 技術，正處於量產階段。

英特爾14納米製程的持續優化使其性能比最初的14納米製程可以提升多達 26%，也可以在相同性能下降低50%以上的有效功耗。

英特爾14+製程的性能比最初的14納米製程提升了12%，而英特爾14++製程在此基礎上又將性能提升了24%，超過業界最佳的其他14/16納米製程20%。

超微縮技術：

提供超乎常規的電晶體密度

超微縮是英特爾用來描述從14納米到10納米製程，電晶體密度提高2.7倍的術語。

超微縮為英特爾14納米和10納米製程提供了超乎常規的電晶體密度，並延長了製程工藝的生命周期。

儘管製程節點間的開發時間超過兩年，但超微縮使其完全符合摩爾定律。

22FFL

物聯網和移動產品創新利器

22FFL是世界上第一個專門面向低功耗物聯網和移動產品的FinFET技術，它基於英特爾近年22納米/14納米製程的生產經驗，帶來性能、功耗、密度和易於設計等優勢，特別是將為中國帶來巨大的創新機遇。

與先前的22GP(通用)製程相比，全新22FFL製程的漏電量最多可減少100倍。

22FFL製程工藝可提供與14納米製程電晶體相媲美的驅動電流，同時實現比業界28納米製程更高的面積微縮。

前沿技術研發：制勝未來

英特爾擁有完整的前沿研發計劃，一些正處於研究中的前瞻項目包括：納米線電晶體(Nanowire Transistor)、III-V材料( III-V Materials)、3D堆疊(3D Stacking)、高密度內存(Dense Memory)、微縮互聯(Scaling Interconnects)、極紫外(EUV)光刻技術(Extreme Ultraviolet Lithography)、自旋電子(Spintronics)、神經元計算(Neuromorphic Computing)等。

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