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「精品新聞」2019年大陸晶圓廠支出或躍居至全球第一

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隨著大陸半導體業者在2016年宣布將要興建，或正在興建中的新晶圓廠設備計劃數已達20餘處，預計2018年當地晶圓設備支出將會超過100億美元，並且2019與2020年此一支出還會繼續揚升，使大陸地區躍升為全球最大的晶圓設備市場。

半導體產業資訊業者Semiconductor Advisors LLC分析師Robert Maire表示，大陸地區晶圓設備支出，很可能即將超越台灣與韓國，不但會躍居為全球第一線半導體生產要地，也很可能會創下單一地區最高支出新紀錄。

也因著大陸新建晶圓廠的增加，從而為半導體設備、材料、服務，以及關鍵系統等供應商提供了重要市場機會。

根據國際半導體設備材料產業協會（SEMI）先前公布資料，近年大陸地區半導體設備銷售額，以及在全球總銷售額中的占比均持續上揚。

以2016年為例，大陸半導體設備銷售額已占全球16.88%，僅次於台灣的28.34%，以及韓國的17.99%。

2017年大陸地區投資金額水漲船高

SEMI表示，2017年將會是大陸地區晶圓設備支出組成的分水領。

在2017年之前，大陸晶圓設備支出所需資金大多來自如三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）與英特爾（Intel）等海外跨國業者。

然而約由2017年起，這些跨國業者，再加上如台積電、聯電和GlobalFoundries等，雖然仍然繼續會在大陸投資，但由大陸業者而來的投資金額也會越來越多，並且逐漸成為設備支出成長的主要驅動力。

預估2018年大陸業者投資金額，將約占當地總支出金額的半數；2019與2020年大陸業者投資則會占總支出半數以上。

投資多集中在存儲器和晶圓代工設備

SEMI表示，在大陸將要興建，或正在興建中的20餘處新晶圓廠設備中，有16處為12吋（300mm）晶圓設施。

而在12吋晶圓設施中，又以存儲器和晶圓代工設施數量為最多。

此外預計由2017年起，晶圓代工設施將會成為大陸地區晶圓設備支出最主要部分，並且此一趨勢會一直延續到2020年。

在新建存儲器晶圓設施部分，除韓國三星計劃在大陸西安進行3D NAND Flash第二階段擴廠外，大陸業者長江存儲/武漢新芯、紫光集團、福建晉華，以及兆易創新等也正在或計劃在南京、武漢、福建與合肥等地興建DRAM或NAND Flash存儲器廠。

NAND Flash仍具機會 DRAM面臨挑戰

不過SEMI表示，就現有技術與人力資源而言，大陸業者在存儲器市場將會面臨挑戰。

在3D NAND方面，由於該市場具有強勁成長潛力，再加上各技術仍相對處於早期階段，因此對3D NAND製造設施的投資，仍然具有相當的市場機會。

然而在DRAM方面，由於該市場成長已經放緩，進一步技術發展也越來越困難，再加上目前市場上已有不少經營許久的業者，預計大陸DRAM業者可能會面臨重大挑戰。

晶圓代工成長勢頭不減

再就晶圓代工而言，目前大陸中芯國際（SMIC）和華虹集團（HuaHong Group）等已經成為全球知名晶圓代工業者。

這些業者進一步的擴廠計劃，將會涵蓋現有成熟與尖端製程兩大部分。

如中芯國際在上海興建採用14納米先進位程的晶圓代工廠，並在深圳設立採用65/90納米製程的12吋晶圓代工廠。

華虹集團投資的華力微電子在上海展開的新一波擴廠計劃，則是在起始階段以28納米製程為起步，最終目標是要達到具備14納米3D高階晶片製造能力。

除大陸業者外，台積電也正在南京興建全資16納米代工廠，聯電與力晶則是與大陸業者合作，分別在廈門與合肥興建晶圓代工廠。

雖然就長期而言，全球晶圓代工市場供過於求的隱憂仍然存在，但隨著大陸半導體市場與當地半導體設計產業的快速成長，大陸與海外晶圓代工業者仍能在大陸市場看到巨大機會。

大陸IC設計業產值高漲

根據中國半導體行業協會（CSIA）最新公布資料，2016全年大陸IC產業銷售額為人民幣4，335.5億元（約合630.5億美元），年增20.1%。

其中，IC設計業銷售額為人民幣1，644.3億元，年增24.1%；IC製造業年增25.1%，達人民幣1，126.9億元；封裝測試業人民幣1，564.3億元，年增13%。

雖然大陸IC產業總產值仍遜於台灣，但IC設計業產值已高於台灣。

據悉，台灣2016全年整體IC產業產值為新台幣2.45兆元（約合758億美元），年增8.2%。

其中IC設計業產值為新台幣6，531億元，年增10.2%。

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