3D NAND，10nm製程與DRAM將成晶圓廠設備支出成長主要動力
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SEMI（國際半導體產業協會）公布最新「SEMI 全球晶圓廠預測」（SEMI World Fab
Forecast）報告，2016年包括新設備、二手或專屬（in-house）設備在內的前段晶圓廠設備支出預期將增加3.7%，達372億美元，而2017年則將再成長13%，達421億美元。
另方面，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。
SEMI全球晶圓廠預測，不僅詳列整個產業的晶圓廠相關支出，範圍還擴及2017年底前之市場展望。
2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。
2017年相關支出可望回復兩位數成長率。
對成長貢獻最大的類別包括晶圓代工、3D NAND 晶圓廠，以及準備在2017年拉升10納米製程產能的業者。
專業晶圓代工廠仍然是最大支出來源。
而2015年支出從107億美元略為下滑至98億美元（較前一年減少8%），惟 2016年可望增加5%，2017年成長率更將接近10%。
DRAM支出緊追在晶圓代工之後，排行第二。
2015年DRAM支出表現強勁，但 2016年可望趨緩，下滑23%，到2017年將恢復上揚趨勢，成長率上看10%。
就支出成長率來看，最大成長動力來自3D NAND（包括 3D XPoint）。
2014年支出為18億美元，到2015年倍增至36億美元，成長幅度高達101%。
2016年支出將再增加 50%，上揚56億美元以上。
設備支出增加因受 6 家業者帶動之下，其支出的排名皆於全球前十名之列。
這 6 家公司均宣布計劃於2016年增加資本支出，但預料最大支出企業三星的資本支出將會低於2015年。
帶動2017年設備支出成長的，還有24處在2015年或今年開始動工的廠房（不含研發設施）。
這些廠房位於全球各地，由中國囊括其中8座。
近來半導體業在購併方面屢屢締造新紀綠，2016年可望有更多交易案浮上檯面。
2015年半導體設備支出整體成長持平，2016年亦將維持緩慢成長，證明市場已趨於成熟。
新的技術、製程與新型內存組件，將在2017年帶動支出成長。
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