全球晶圓廠設備支出成長力道可望持續至2019年

國際半導體產業協會(SEMI)的《全球晶圓廠預測報告》(World Fab Forecast)最新內容指出，2019年全球晶圓廠設備支出將增加5%，連續第四年呈現大幅成長。

除非原有計劃大幅變更，中國大陸將是2018、2019年全球晶圓廠設備支出成長的主要推手。

全球晶圓廠投資態勢強勢，自1990年代中期以來，業界就未曾出現設備支出金額連續三年成長的紀錄。

SEMI預測，2018和2019年全球晶圓廠設備支出將以三星(Samsung)居冠，但投資金額都不及2017年的高點。

相較之下，為支持跨國與本土的晶圓廠計劃，2018年中國大陸的晶圓廠設備支出較前一年將大幅增加57%，2019年更高達60%。

中國大陸設備支出金額預計於2019年超越韓國，成為全球支出最高的地區。

2011~2019年全球晶圓廠設備支出（來源：SEMI）

繼2017年投資金額刷新紀錄後，2018年韓國晶圓廠設備支出將下滑9%，至180億美元，2019年將再下滑14%，至160億美元，不過這兩年的支出都將超過2017年之前水平。

至於晶圓廠投資金額全球排名第三的台灣，2018年晶圓設備支出將下滑10%，約為100億美元，不過2019年預估將反彈15%，增至110億美元以上。

此外SEMI的報告指出，一如先前預期，隨著先前所興建的晶圓廠進入設備裝機階段，中國大陸的晶圓廠設備支出持續增加。

2017年中國大陸有26座晶圓廠動工刷新紀錄，今明兩年設備將陸續開始裝機。

在中國大陸所有晶圓廠設備投資仍以外資為主。

不過2019年本土企業可望提高晶圓廠投資，占中國大陸所有相關支出的比重也將從2017年的33%，增至2019年的45%。

新建晶圓廠數量（來源：SEMI）

以產品類別來看，3D NAND將是支出最高的產品類別，2018年及2019年將各成長3%，金額分別達到160億美元和170億美元。

2018年DRAM將強勁增長26%，達140億美元，但2019年將下滑14%，至120億美元。

為了支持7納米工藝相關投資和提高新產能，2018年晶圓代工業設備支出將增加2%，達170億美元，2019年則成長26%，達220億美元。