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驍龍835來襲 加速明年10nm旗艦芯大戰

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【手機中國 新聞】上周移動晶片大戶Qualcomm搶在CES之前，正式發布了新一代旗艦芯驍龍835，而不是之前傳聞的驍龍830，震驚了業界，該晶片採用三星領先的10納米工藝，實現性能提升27%或高達40%的功耗降低，支持Quick Charge 4快充技術，以及Type-C和USB-PD。

Qualcomm競爭對手聯發科則於今年9月正式發布了採用台積電10納米工藝的Helio X30旗艦晶片，它依然為三叢集十核架構，包括兩個2.8GHz的Cortex-A73高性能核心，以及四個2.2GHz Cortex-A53以及四個2.0GHzCortex-A35低功耗核心，與前代Helio X20旗艦芯相比，其效能提升43%，功耗可節省58%。

據台媒報導，Helio X30已於四季度進入量產投片階段，聯發科期望依靠台積電在晶圓代工市場的技術領先優勢，用Helio X30來對抗驍龍835。

Helio X30預計明年一季度可量產出貨，它支持Cat 10網絡。

值得注意的是，聯發科明年上半年還將推出支持Cat 12 10納米的Helio X35來搶市。

另外，依靠自家海思麒麟芯，華為在高端手機市場也是玩得風生水起，儘管當前的麒麟960僅採用16nm製程，不過華為旗下的海思半導體也在加快10納米技術研發，業界預計明年上半年首款採用台積電10nm工藝的麒麟970也會跟的大家見面，在網絡方面它會率先支持Cat 12，也是全球全模晶片。

從以往經驗來看，搭載驍龍835的終端可能會在CES2017大會上亮相，這意味著明年上半年，新一輪旗艦晶片大戰將上演，誰能成為最大贏家，讓我們拭目以待。

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