三星高管偷賣的14/10nm工藝，到底是怎樣的機密？

據外媒報導，韓國警方近日逮捕了三星System LSI部門的一位李姓高管，原因是他將該公司的半導體技術機密（三星14nm、10nm工藝）賣給了某中國公司，而對方是三星電子的直接競爭對手(具體是誰未公開)。

傳言稱，14nm工藝非常卓越，GF、AMD等廠商對其非常依賴。

掌握了這項工藝，甚至更先進的10nm工藝，也就掌握了未來晶片行業的話語權。

一直以來，三星在半導體工藝方面技術精湛，一路高歌猛進，雖然在這方面英特爾處於絕對的王者地位，但三星的突起還是令其感到了不小的壓力。

14/10nm究竟是什麼？

這還得從處理器的基本組成說起。

一般來說，一顆微處理器是由不同材料製成的許多「層」堆疊起來的電路，裡面包含了電晶體、電阻器、以及電容器等微小元件。

這些微小元件用肉眼很難看清楚，因為它們的尺寸非常之小，並且數量之多，密集的讓人難以想像。

這些小元件整齊的排列在一塊「板子」上，它們相互之間都有縫隙，這個縫隙實質就是元件與元件之間的距離，這個距離一般用毫微米進行衡量。

後來納米概念誕生後，就一直沿用「納米」（nanometers）來描述這個距離。

也就是說，14/10nm其實就是晶片上元件間的間距，這個間距越小，排列在晶片上的元件就越多。

這意味著性能更加強大，能效表現更為優異。

這也是英特爾、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。

14nm的誕生

在2014年，當大部分廠商還在研究22nm的FinFET工藝時，英特爾已經推進到了14nm工藝。

在晶片行業的推進上，英特爾可以說是獨步天下。

從2007年的45nm工藝，到2009年的32nm工藝，到2011年的22nm工藝，再到2014年的14nm工藝，無與倫比的先進位造工藝，讓全球廠商為之眼紅。

然而，看似風光的英特爾，在推進過程中也遇到不少難題。

據英特爾稱，他們本該2013年底時就會推出14nm的測試晶片，並於2014年開始量產，但實際比原推進計劃晚了幾個季度。

由於14nm工藝良品率初期低得要命，直到2014年第二季度末才達到量產標準。

三星的14nm工藝

在2014年底，也就是英特爾的14nm工藝推出沒幾個月，三星就直接宣布進入14nm工藝。

這前所未有的舉動在業界瞬間轟動了起來，甚至連英特爾都坐不住了。

要知道，在這之前，英特爾的製造工藝在業內是處於絕對領先的地位的。

三星此舉讓同為競爭對手的台積電也自愧不如，但隨後又爆出猛料，稱該公司前員工加入三星後，將TSMC自家的28nm工藝泄露給了三星，這對於三星14nm工藝進度起了至關重要的作用。

這樣說也無可厚非，畢竟三星可是跳過了20nm，直接進入了14nm工藝，並且據台積電稱，三星的14nm工藝帶有台積電的技術特性。

看來，三星的14nm工藝並不純正。

除此之外，台積電高管還爆料，最早採用FinFET的16納米工藝，原本計劃跟隨英特爾，稱為20納米FinFET。

因為該工藝的電晶體最小線寬(half-pitch)與量產的前一代20納米傳統電晶體工藝差不多，只是換上全新的FinFET電晶體。

然而，三星搶先命名為「14nm」！三星的出現，擾亂了市場的命名的慣例。

10nm

在14nm上逐漸趕上英特爾的三星，在10nm的研究上，幾乎和強大的競爭對手英特爾站在了同一起跑線上。

然而，10nm的研究，似乎並不順利。

按照英特爾的計劃，10nm預計在2015年就能推出，由於14nm工藝的跳票，打亂了時間節點，並且10nm的研究中可能遇到了不小的難題。

目前，英特爾10nm工藝已經開始試產，並且表示將在2017年上半年量產10nm，在下半年發布10nm產品。

反觀三星，雖然在去年展示了10nm的晶圓，並表示將在2017年量產10nm工藝。

但是到目前為止，幾乎沒什麼動靜。

與三星同為競爭對手的台積電卻是非常高調，宣布將在今年底開始量產10nm。

這一點也是可以理解，畢竟與三星同為晶圓代工，誰先勝出，誰就能得到更多的代工業務。

不過，有專業人士透露，台積電的十六納米等於英特爾的二十納米、十納米等於英特爾的十二納米……在這一方面，台積電也是積極承認。

納米工藝的進步，使得我們在同樣大小的晶片上，能夠感受更強大的性能；在運行速度更快的同時，也更加省電；這些更小的晶體元件，只需要更低的導通電壓，能效也會隨之提升；最為重要的是，組件越小，同一片晶圓可切割出來的晶片就可以更多。

即使更小的工藝需要更昂貴的設備，其投資成本也可以被更多的晶片所抵消。

未來，7nm，5nm甚至更小的納米製造工藝也會相繼出現，雖然有專家分析，目前10nm工藝或許將成為矽材料電晶體的物理極限。

但英特爾等廠商不會停止不前，因為，他們對於「極限」的追求是永無止境的。

文章來源：新材全球網

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