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Galaxy S嘗鮮三星10納米晶片，7納米最遲2018年

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三星電子召開新聞發布會表示，計劃在今年年底推出採用10納米工藝製造的手機晶片，此舉讓三星擊敗對手英特爾和台積電，成為全球首家大規模採用10納米工藝製造的廠商……

三星晶圓代工集團營銷和業務發展高級副總裁洪浩表示：「我們正在進入批量生產，2016年我們將迎來10nm節點的第一批代工業務。

」

三星表示，新型10LPE工藝使用先進的3D電晶體結構，與14納米工藝相比，對工藝技術和設計進行進一步改進，面積效率增加30%，性能提高27%，功耗降低40%。

此外，三星還在聲明中補充，首款使用10LPE工藝產品將於明年初上市。

隨後，明年年底三星將推出10LPP工藝。

韓國《電子時報》本月報導稱，三星將成為高通驍龍830高端處理器的獨家代工商，這些晶片都將使用10納米工藝生產，而有望於明年初發布的新款Galaxy S手機將有半數使用這種晶片。

實際上，去年11月底，三星就在一次展會上率先曝光自家研發的10nm工藝晶圓，這也是當時產業界首次秀出10nm工藝wafer。

根據IC Insights數據顯示，預計三星電子將在2016年晶圓代工廠營收中排名第五。

三星電子負責人洪浩還指出，未來將跳過與對手TSMC和Globalfoundries計劃的浸沒光刻技術的7nm節點，目標是在2018年年低利用EUV光刻技術實現7nm工藝量產。

摩爾定律代言人英特爾曾表示，自家的10nm工藝具有54nm柵極間距，能夠比任何競爭對手更密集地封裝電晶體。

分析師認為，不能和三星、台積電的10納米相提並論。

已獲得iPhone 8大部分晶片訂單的台積電則認為，10nm晶片正在有序進行明年初量產在即，10nm只是一個過渡的工藝節點，真正的挑戰在於7納米工藝。

台積電工藝圖顯示，他們將在2017年底率先進行量產工作。

另一家晶圓代工廠商Globalfoundries早在9月就宣布將跳過10nm節點，計劃在2018年底量產7納米工藝，目前重點照顧FD-SOI的生態培養和建設。

中國代工廠商中芯國際日前投建14納米大尺寸晶圓廠房，2015年與高通和IMEC合作研發14納米工藝，預計2018年進行量產。

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