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國產光刻機製程實現三級跳，華為將添新戰友!

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國產光刻機「三級跳」大突破，正式邁入高端行列!

5月15日，美國宣布升級對華為的出口管控。

在BIS宣布：只要採用到美國相關技術和設備生產的晶片，都需先取得美國政府的許可，這將讓華為很難避開美國的出口管制獲得相應的軟體和硬體。

阻止使用美國晶片製造設備的外國公司再向華為或海思等關聯公司供應部分晶片和軟體。

全球公司只要涉及到美國方面的技術，在為華為提供服務之前，都需要申請許可證。

同時有著120天的緩衝期，9月15日正式實施開始，華為的各項業務都會受到致命的影響，尤其是晶片的供應。

大家可知道華為海思已經形成了全系列的晶片能力，鯤鵬伺服器晶片、鯤鵬920電腦晶片、麒麟手機晶片、凌霄路由器晶片、天罡基站晶片，包括視頻、AI晶片都很強大，晶片設計水平世界一流水平。

但如今的華為面臨「四面楚歌」，中芯國際表示受美國技術出口管制限制不能給華為代工，台積電也同理也停止向華為提供代工技術，再加上聯發科已經闢謠不會替華為代工晶片，華為處境有些難。

不過相信任正非不會認輸，余承東不會妥協。

因為代工晶片必須用的EUV光刻機了，今年下半年5nm工藝將會正式商用，而5nm的光刻機都是由ASML提供的，ASML雖然是一家荷蘭公司，但ASML的光刻機中就包含了大量的美國技術，畢竟ASML能夠有今天和美國有著千絲萬縷的關係。

所以華為海思晶片代工要實現真正的國產光刻機，才有辦法為華為代工，那麼就只能夠寄希望於國產光刻機了，最近關於國產光刻機傳出了一個好消息，國產光刻機實現了「三連跳」，有了重大的突破。

上海微電子將在今年年底給大家一個驚喜，而最有可能的則是SSA800/10W光刻機。

據悉，該光刻機在性能上可以實現28納米單次曝光，多次曝光可以生產11納米工藝製程的晶片，具備7納米製程的潛力。

上海微電子的光刻機從90nm工藝突破到了28nm，直接跳過了65nm和45nm工藝，實現了「三級跳」，同時在2021年或者2022年就會進行交付了。

雖然說28nm工藝和現在的7nm甚至是5nm來說都有著巨大的差距，但是這已經是全球第二的存在了，要知道除了ASML之外，目前也就日本尼康和佳能能夠生產55nm工藝的光刻機。

這台光刻機可以生產7nm晶片，採用華卓精科的工作檯，在經過三重曝光之後，套刻精度可以提升到1.7nm，也就可以生產7nm晶片，步入7nm晶片已經算是進入了高端晶片行列了。

現在7nm晶片已經是真正頂端的晶片了，驍龍865、蘋果A13、麒麟990 5G採用的都是台積電的7nm工藝，如果能夠儘快實現量產，那麼國產晶片華為如虎添翼。

希望國內其他科技企業上海微電子這樣的高科技企業一樣自強不息，努力的研發自己的核心技術，打破歐美國家的技術封鎖。

相信在我國廣大科研人員的不懈努力下，國產光刻機將實現更多突破，未來可期。

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