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重大突破：第一台28nm國產光刻機有望兩年內交付

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5月15日，美國商務部針對華為修改了直接產品出口規則，全面限制華為的全球晶片供應鏈，並宣布將嚴格控制華為使用美國的技術、軟體設計和製造半導體晶片。

這意味著美國將進一步對華為實施出口管控和技術封鎖。

自此之後，「無芯可用」的難題成為了整個國產科技行業的焦點。

目前，國內晶片公司都在想辦法突破原有的製造技術，攻克晶片製造難關。

近日，我國在製造晶片技術方面實現重大突破，國產光刻機即將迎來曙光。

上海微電子裝備（集團）股份有限公司公司披露，有望在2021-2022年內交付第一台28nm工藝的國產沉浸式光刻機。

而在此之前，我國的光刻工藝始終停留在90nm，在高端晶片製造領域也一直依賴於台積電。

雖然目前世界一些頂尖晶片製造廠的主流技術已經能夠達到7nm甚至5nm工藝，28nm工藝與國際頂尖技術相比還有一定差距，但經過此次突破，差距已經大大縮小，這標誌著國產光刻機的飛躍式進步。

據業內人士透露，該國產光刻機SSA/800-10W將會在年底正式下線，單次曝光可直接實現28nm製程，而這台光刻機設備也將會成為我國最先進的光刻機設備，上海微電子憑藉此項製程工藝也將會直接趕超日本佳能、尼康廠商，成為繼荷蘭ASML後，全球第二先進的光刻機廠商巨頭。

此外，這台上海微電子SSA/800-10W光刻機設備將會採用ArF光源，套刻精度在1.9nm左右，在多次曝光下能夠實現11nm製程工藝的晶片生產。

如果改用套刻精度更優的華卓精科工作檯（1.7nm），在多重曝光下更是能夠實現7nm製程工藝的晶片生產。

並且我國還在研發更加高端的EUV 高端光刻機，而最核心的EUV光源曝光機將會由長春機電研發，一旦取得技術突破，並實現量產，這意味著我國晶片製造工藝將會更上一層樓。

據市場研究表明，目前上海微電子是國內技術最領先的光刻設備廠商，國內市場占有率高達80%，全球市場占有率達到40%。

在美國對華為進行「全方面打壓」的背景下，此次國產光刻機的重大技術突破不僅能夠解決晶片代工被限制的問題，打破國外廠商的對於IC前端光刻機市場的壟斷，而且能夠覆蓋更為廣闊的市場需求，在國產替代趨勢之下，大幅提升國產光刻機的出貨量、營收和利潤率。

未來，上海微電子將會全力支持華為和其他國產企業，助力中國半導體不斷取得突破，這樣的發展趨勢也讓華為以及更多的中國科技企業充滿了信心。

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