華為無懼斷供!國產光刻機巨頭正式官宣:國產光刻機可量產7nm晶片
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眾所周知,最近由於美國的「全面打壓」,華為再次成為國內整個科技產業的焦點。
然而,大家也很擔心華為海思半導體的晶片業務是否會受到嚴重打擊。
從台積電和中芯國際等眾多代工巨頭的言論來看,華為和海思半導體晶片可能無法避免「斷供」的尷尬局面,這也直接暴露了當前國內晶片行業的之痛。
雖然我們可以設計出許多優秀的晶片,但我們一直未能在晶片加工方面取得突破,尤其是在高端晶片製造領域,我們一直依賴台積電
處於行業領先地位的台積電,能夠生產出最先進的5納米晶片技術,而中國最先進、最強大的晶片代工巨頭中芯國際卻只能生產出14納米技術,距離台積電還有很長的路要走,但更重要的是,很多關鍵設備仍然局限於人,尤其是中芯國際從荷蘭訂購的最新、最先進的紫外光刻設備,雖然我們也可以生產國產光刻設備,但由於美國的阻撓,一直都未能夠完成交付,就光刻設備技術而言,我們的技術也相對落後。
我們還不能製造高端光刻設備。
終於在近日,國產光刻機巨頭—上海微電子傳來了最新的好消息;
上海微電子向公眾透露,將在一年內正式交付首款28納米國產光刻設備。
據業內人士透露,國內首個28納米工藝(軟體操作介面)上海微電子SSA/800-10W將於年底正式下線。
單次曝光可以直接實現28納米工藝(軟體操作介面)。
該光刻機也將成為我國最先進的光刻機,其製造工藝將直接超過日本, 佳能和尼康的製造商,成為僅次於荷蘭ASML的世界第二大最先進光刻機巨頭
據報導,上海微電子SSA/800-10W光刻機將採用ArF光源,套刻精度約為1.9納米,在多次曝光下能夠實現11nm製程工藝的晶片生產,如果改用套刻精度更優的華卓精科工作檯(1.7nm),在多重曝光下更是能夠實現7nm製程工藝的晶片生產。
此外,中國仍在開發高端的EUV高端光刻機,最核心的EUV光源曝光機將由長春機電有限公司開發。
一旦實現技術突破和大規模生產,這意味著中國的晶片製造過程將一步登天,我們的技術水平將大大提高。
未來,上海微電子還將全力支持中芯國際和華為,幫助中國半導體取得突破。
這樣的發展也讓華為和更多的中國科技企業充滿了信心,小編也相信,未來我們一定會有自己的先進光刻機來完全克服晶片製造的「困難」,而華為和更多的國內晶片企業則不用擔心「晶片」的停產。
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