14nm晶片面臨斷供,7nm晶片遭大幅砍單,華為迎來最難一關
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文 | 貢曉麗
華為遇到了2020年的第一道難關。
有媒體報導稱,台積電以擔憂海思半導體庫存過剩為由,砍掉了麒麟7nm晶片20%的訂單,而海思讓出的這些產能,頃刻便讓蘋果、AMD、高通及聯發科等客戶一搶而空。
雪上加霜的是,此前還有消息傳出,隨著美國調整實體名單實施政策,台積電很快將無法繼續為海思半導體代工14nm以上製程晶片,這意味著,華為未來只能把更多的晶片代工業務交給中芯國際。
問題是,中芯國際有能力承接華為的先進位程訂單嗎?
台積電是華為的生命線
眾所周知,去年華為被美國列入實體名單後,台積電並沒有斷供華為,因為美國制定的標準是「源自美國技術」不能超過25%。
經過台積電內部評估,其7nm製程工藝技術來自美國的比例約在9%左右,而14nm以上的製程工藝技術,源自美國的比例在15%左右,因此繼續供貨華為,並不會違反相關禁令。
然而,最近又有消息傳出,美國計劃在1月17日將「源自美國技術」的標準,從25%的比例下調至10%,這樣一來,台積電只能繼續為華為供貨7nm晶片,而14nm以上晶片則將受限斷供。
為此,華為正擬定對策,一方面加速將海思晶片產品轉向7nm和5nm等先進位程,一方面將14nm以上訂單分散去中芯國際代工,以避開美方牽制。
萬萬沒想到的是,這時竟傳出台積電主動發起縮減與重新分配7nm產能,砍掉麒麟7nm晶片20%訂單的壞消息。
有消息人士指出,海思半導體一直在持續要求台積電給出更多7nm、5nm製程產能,需求量相當於2億套5G SoC,從華為的角度看,這麼做顯然是為了加大庫存備貨,以防止不可預測的斷供風險。
但是台積電卻認為,海思半導體的訂單要求已遠超其實質需求數量,擔心華為智慧型手機與海思半導體的SoC建立過多庫存。
有鑒於7納米產能目前十分緊俏,台積電選擇將華為要求的過多部分產能,拿來分配給如AMD等真正有需要的客戶,同步降低未來去化庫存與產能過度擴張的風險。
中芯國際就差一台光刻機
台積電主動砍單的行為,似乎並不怎麼尊重華為,尤其後者還是自己的大客戶。
但這場交易原本就不對等,華為完全處於被動,絲毫沒有討價還價的餘地。
因為放眼全球,目前有能力代工7nm晶片的只有台積電和三星兩家,而後者是華為在手機市場最大的競爭對手。
華為最可靠的代工廠是中芯國際,後者才剛剛實現14nm製程工藝的小規模量產,雖說良率據稱高達95%,但相比早已大規模量產14nm多年的台積電或三星,代工成本恐怕要高上許多。
至於7nm製程工藝,中芯國際本來想在今年試產,但現在看來恐怕會變得遙遙無期,因為7nm製程工藝必須用到荷蘭ASML製造的極紫外(EUV)光刻機,而中芯國際花1.2億美元預定的EUV光刻機,至今還沒有運到上海。
這是因為EUV光刻機牽涉到全球最高端工藝晶片技術的生產,ASML在向中國出口這類設備之前,需要拿到政府發放的出口執照和核准。
ASML表示在2019年7月之前,便已提前提出申請,但出口執照至今未發下來,因此無法將EUV光刻機按時出貨給中國客戶。
而據路透社報導,自2018年開始,美國就一直在遊說荷蘭政府,不要為ASML發放向中國客戶出售先進設備的許可。
因為EUV光刻機中,「源自美國技術」比例並未達到25%,美國政府無法直接阻止交易,轉而施壓荷蘭政府考慮「安全問題」,美國國防部官員就此與荷蘭官員至少進行了4輪會談,討論此次出售的「安全風險」。
ASML自身倒是很想賣光刻機給中國,還對外聲明稱,無論有沒有拿到銷售許可,或者是否會遭受到「禁運」,ASML都將繼續尋找與中國企業合作的機會,繼續向中國企業供應ASML高端光刻機,畢竟,目前中國市場在ASML的營收中占比高達20%,是僅次於韓國(35%)的全球第二大市場。
14nm夠用還是要上7nm
綜上可見,美國費盡心思搞小動作,就是為了防止以中芯國際為代表的晶圓代工廠,進入14nm以下的先進位程工藝。
對此,也有部分業內人士認為,並不是所有晶片類型,都對7nm有強勁需求,至少在現階段來講,7nm並非多數市場的剛需。
確實,目前在半導體行業,許多產品用14nm甚至28nm就已綽綽有餘,花更高的成本與精力去研發7nm乃至5nm製程工藝,眼下看來好像是個賠本買賣。
可是如果把目光放至未來,隨著5G和AI技術的發展,5G智能終端、VR/AR產品、機器人、AI和超算等產品的成熟和應用,都將對晶片的性能、能耗和算力提出更高的要求。
從另一個維度來說,晶片的發展也將催生出新的應用生態,或是對早已成熟的市場帶來革命性的顛覆。
例如,當下因蘋果AirPods而重新迎來第二次黃金時代的TWS(真無線立體聲耳機)市場,各大廠商使用的藍牙晶片製程尚未踏入7nm領域,大多聚集在28nm至12nm。
但是隨著市場需求倒逼藍牙晶片發展,未來各家廠商為了能在更小的晶片中集成更多的功能與應用,也將逐漸推動藍牙晶片朝著7nm甚至是5nm製程演進。
中芯國際也很清楚這樣的趨勢,所以才打磨了先進位程技術的「三支箭」,分別為14nm FinFET工藝技術進入風險試產、12nm工藝技術有客戶進行流片,以及對於第二代FinFET技術N+1工藝的布局。
在14nm和12nm工藝節點,中芯國際還用不到EUV光刻機,而2018年下單預定EUV光刻機,正是為了N+1工藝做準備,一般來說,這個工藝節點應該是7nm左右。
如今EUV光刻機遲遲無法到貨,硬生生拖慢了中芯國際的發展速度。
三大巨頭眾籌EUV光刻機
沒有EUV光刻機,能進軍更先進的製程工藝嗎?幾乎沒有可能。
目前,中芯國際最好的設備是ASML的深紫外(DUV)光刻機,採用波長193nm的深紫外光,當晶片製程從28nm一步步縮小到7nm,這形同用同一支筆,要寫的字卻愈來愈小,最後發生了筆尖比要寫的字還粗的窘境。
接替DUV的「超細筆」,是波長僅有13nm的EUV,技術源自里根時代的「星球大戰計劃」。
可是這個技術實在太難了。
EUV的能量、破壞性極高,光刻機的所有零件和材料,樣樣都在挑戰人類工藝的極限。
例如,空氣分子會干擾EUV光線,生產過程得在真空環境。
而且,機械的動作得精確到誤差僅以皮秒(兆分之一秒)計。
而最關鍵零件之一,由德國蔡司生產的反射鏡得做到史無前例的完美無瑕,瑕疵大小僅能以皮米(納米的千分之一)計。
這是什麼概念?ASML曾做過一個比方,如果反射鏡面積有整個德國大,最高的突起處不能高於1厘米。
有人評價,造一台EUV光刻機,難度勝於建造航母,因為要用到材料、光學、機電等領域最尖端的技術。
因為技術難度太大、投資金額太高,日本的尼康和佳能,都已放棄開發EUV光刻機,而ASML成為人類衝刺下一代先進位程,摩爾定律繼續保持的唯一希望。
為了支持ASML研發EUV光刻機,Intel、三星和台積電三大晶圓製造巨頭於2012年一起入股了ASML,用38.5億歐元換來了23%的股份,此外,三家還為ASML的研發項目投資了近50億美元。
可以這麼說,ASML如今獨步天下的EUV光刻機,是晶圓製造領域最大的三個土豪眾籌出來的,這也是為什麼EUV光刻機在產能緊張的情況下,只能優先供應這三家的原因。
中國光刻機落後多少年
那麼,中國能研製出自己的EUV光刻機嗎?很遺憾,目前還看不到任何希望。
且不說類似磁懸浮工件台這樣的超精密機電設備有多難造,就以EUV光刻機最核心的兩個組件為例,全世界EUV光源做的最好的是美國Cymer公司,這家公司2012年就被ASML收購了,而能生產反射鏡的也只有德國蔡司一家,這家公司也被ASML入股了。
我國光刻機研發布局其實很早,領頭羊上海微電子早在2008年就研發成功了90nm前道光刻機,可是12年後,上海微電子還在準備65nm的研發和驗證,與最新的7nm技術要差上好幾代。
這是因為,上海微電子最先進的光刻機,包含13個分系統、3萬個機械件和200多個傳感器,任何一個部件出錯,都會導致整台機器趴窩。
要保證系統穩定工作,一些核心精密配件就只能依賴國外供應商,比如美國的光柵、德國的鏡頭、瑞典的軸承等。
這便意味著,國產光刻機想要向先進位程進發,哪怕有一家核心供應商拒絕提供配件,也會讓我們寸步難行。
最終,上海微電子不得不轉向用於封裝的後道光刻機研發,走起了以中低端市場支持高端研發的路線。
2002年,上海微電子總經理賀榮明去德國考察時,曾有工程師告訴他:「給你們全套圖紙,也做不出來。
」
賀榮明幾年後理解了這句話。
「發展光刻機,需要高素質的人群。
所以我們做來做去,做最多的是培養人,改變人。
」賀榮明說,這需要他們用五十年一百年的長遠眼光去做事情,而不是期望幾個月解決問題。
確實,論技術,國產光刻機落後15年,論技術積澱,國產光刻機落後幾代人,這是中國半導體行業不得不面對的現實,也正是基於這樣的現實,當華為面對眼前這道難關時,唯有祈禱台積電和ASML不要屈從於美國的壓力,僅此而已。
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