主要半導體廠商赴陸設廠 韓國唯恐技術外流
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陸續傳出全球代表性半導體業者決定前往大陸設立生產基地,儘管有技術外流的風險,但面對全球最大 的消費市場招手,業者仍決定冒險一試。
由於每年大陸的半導體進口規模比進口石油還高,讓大陸政府欲積極發展半導體產業以提高自給率。
如今領導業者的建廠計 劃無疑是提升大陸自給率的最佳時機,長期而言還有機會取得技術。
據韓媒ET News報導,日前排名第二的IC製造業者格羅方德(GlobalFoundries)決定與重慶市政府合作,在當地興建12吋(300mm)晶圓廠。
重 慶市政府提供土地與建物,格羅方德負責設備與技術部分,但雙方的持分比例與投資金額等資訊並未公布。
預計2017年起投產130~40納米邏輯、模擬、混 合信號晶片等。
業界認為,該工廠初期量產規模以每月投入晶圓為基準約1.5萬片。
格羅方德則計劃將新加坡Fab 7工廠使用的技術移轉到即將新建的大陸重慶工廠。
先 前台積電也曾發表到南京的建廠計劃,規劃興建12寸晶圓廠,投產時間定在2018年,生產16納米FinFET晶片。
從台積電最新的技術地圖 (Roadmap)來看,2018年最新製程應為10納米或7納米技術,因此用於南京工廠的技術約落後兩個世代左右,原因應是考慮技術外流問題。
如今格羅方德也決定在重慶建廠,並採用130~40納米,而非最先進的10納米級FinFET製程,業界認為應也是考慮技術可能外流所做的決定。
在存儲器領域,兩大韓廠早已在大陸工廠使用最新技術進行生產。
三星電子(Samsung Electronics)在西安工廠生產3D NAND Flash存儲器,SK海力士(SK Hynix)在無錫工廠也幾乎與韓國利川工廠同步,使用相同的先進位程量產DRAM。
全球最大的半導體業者英特爾(Intel)同樣也前進大陸,2015年宣布要將位於大連的系統半導體廠房轉換為存儲器生產工廠,計劃投資約6.2兆韓元(約52.28億美元),目標在2016年下半投產3D NAND Flash存儲器。
力晶科技則決定與合肥市政府合資興建12寸晶圓半導體廠,合作方式為合肥市政府負責出資,力晶提供技術。
如此一來,形同將生產技術全面交給大陸。
韓國業界認為力晶的技術約落後韓廠4~5年左右,但若有大陸政府的雄厚資金挹注,也將產生極大威脅。
若韓廠研發更先進的DRAM製程稍微放慢腳步或遭遇瓶頸,未來很快就會被大陸追上。
業界認為,三星、SK海力士、台積電、英特爾等半導體領導業者在大陸的建廠計劃並非合資型態,技術流出的風險較低。
但格羅方德與力晶以提供技術的方式與大陸合作,將間接扶植大陸的技術競爭力,為大陸半導體產業崛起助一臂之力。
但也有另一派業界人士認為,存儲器領域並非兒戲,許多有意前進大陸發展的美國、日本、德國半導體業者鎩羽而歸,目前大陸政府的出資來自地方,投資不如由中央政府主導的集中,或許反而能成為韓國業者成長茁壯的機會。
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