3D NAND成半導體業不景氣救世主

韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業者將3D NAND視為克服不景氣的對策。

3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業界採用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服製程瓶頸的解決方案。

3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節省一半;採用3D NAND Flash存儲器的固態硬碟(SSD)其電路板面積也較小。

基於上述優點，對於業界積極發展以人工智慧平台的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利於邁入第四次工業革命的技術。

以資訊為主的平台服務常伴隨傳輸大量的資料與數位內容，業者必須擴大對伺服器的投資，連帶引起儲存存儲器的需求增加，刺激3D NAND的需求成長，因此半導體業者開始瞄準3D NAND市場商機。

除三星之外，SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)等業者也爭相進行3D NAND投資。

三星在2013年8月宣布進入3D NAND量產，2014年第1季正式於西安工廠投產，從此明顯拉開與同業的技術差距。

業界認為，三星因積極投資獲得領先對手3年左右的技術差距，2016年仍維持積極攻勢，以強化市場上的領導地位。

三星計劃在5年內量產達1TB等級的固態硬碟，近期已推出屬於平價產品線的750 EVO 500GB SSD，準備以多種產品策略搶攻市場。

相形之下，起步較晚的存儲器業者長期遭遇3D NAND製程上的良率問題，業界認為這些業者在2016年後才可能擴大投資。

SK海力士正努力縮小與三星的技術差距，2016年第2季之後3D NAND產線稼動，可望降低生產成本，加速追趕三星。

業界認為，SK海力士若要提升在3D NAND市場的影響力，除了積極進行投資之外，還應採行對國外業者的購併策略。

美光、英特爾、東芝等業者的3D NAND產線預計在2016年第2季之後正式稼動，究竟誰能在趨於白熱化的3D NAND競爭之中脫穎而出，成為業界的觀戰焦點。

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