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英特爾、三星等IDM大廠積極經營晶圓代工市場

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三星電子和英特爾將大幅拓展晶圓代工事業領域。

過去掌握晶圓代工市場的台積電、格羅方德等單純晶圓代工業者，和三星、英特爾等綜合半導體企業(IDM)憑藉各自的優勢，形成競爭版圖。

據韓國朝鮮日報報導，三星在上海舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum)，以海思半導體、展訊、聯發科等IC設計業者為對象進行技術說明會。

三星大陸負責人崔哲(音譯)在100多名業界與會人士面前公開三星最尖端的10納米、14納米製程，並介紹8寸製程等可提升成本效益。

韓國業界認為，三星將以本次活動為起點，積極在大陸確保晶圓代工客戶。

三星自數年前開始逐漸降低對最大客戶蘋果(Apple)的依賴，為吸引新客戶，扶植晶圓代工技術。

2014年三星也與意法半導體(ST)合作，開始研發28納米完全空乏式(depletion-type)絕緣上覆矽(FD-SOI)技術。

FD-SOI製程是在矽晶圓上製造輕薄絕緣氧化膜，再形成平面型電晶體電極的半導體製程。

因外泄電流量少，用電效率最高提升近2倍，且可大幅縮減生產成本。

2015年3月三星完成FD-SOI產品測試階段，目前也完成商用化生產準備。

韓國半導體業界人士表示，移動應用處理器(AP)等高集成晶片一般會使用傳統3D FinFET製成，結合類比電路的無線通訊(RF)晶片等，仍最適用FD-SOI製程。

三星為生產處理器之外的晶片，一定會使用FD-SOI製程。

全球半導體龍頭英特爾也宣布在晶圓代工市場上拓展領域。

韓國業界先前預測英特爾2011年進軍晶圓代工市場，而英特爾也透過與樂金電子(LG )、展訊、拓朗半導體(Altera)等大客戶合作，正式跨足市場。

近來英特爾獲得ARM設計授權，2017年下半將運用10納米製程，生產樂金手機AP產品。

三星、英特爾等IDM大廠加強對晶圓代工市場攻略的理由，是因相關市場獲利性將持續成長。

半導體微細製程轉換逐漸進入瓶頸，IC設計業者委託生產具一定水準的晶片的成本也逐漸攀升。

有資料顯示，2016年半導體整體市場將出現2%負成長，但晶圓代工領域的成長率預估有9%。

另一方面，台積電獨吞逾5成市占率的晶圓代工市場版圖，是否會因三星和英特爾的攻勢出現變化，受到市場關注。

韓國業界認為在生產效益方面，台積電、格羅方德等專門晶圓代工業者握有優勢，但在微細製程、封裝等高難度製程方面，三星和英特爾則較為領先。

來源：電子時報

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