三星/SK海力士將大規模投資研發

2020-10-23

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從2013年以來持續成長的DRAM市場，2016年展望值首度出現衰退。

為突破半導體市場的不景氣，三星電子（Samsung Electronics）致力升級微細製程技術；SK海力士（SK Hynix）則準備以史上最大規模的投資計劃應戰。

韓國半導體業界自年初就瀰漫緊張感，DRAM價格持續下跌，搭載DRAM的PC、智能型手機、平板電腦等市場需求也在萎縮。

從2013~2015年一直維持成長的存儲器市場，2016年展望值首度出現衰退。

三星、SK海力士借著技術研發與大膽投資，試圖突破市場困境。

據韓國經濟報導，三星致力升級微細製程技術，日前宣布應用14納米第二代鰭式場效電晶體（FinFET）製程的移動系統單晶片（SoC）開始量產。

14納米第二代FinFET製程比第一代耗電量節省15%，性能提升15%。

三星在2015年1月率先業界，量產應用14納米FinFET製程的Exynos 7 Octa；2016年以第二代FinFET製程同時量產Exynos 8 Octa與高通（Qualcomm）Snapdragon 820等代工產品。

第二代製程產品預定將搭載於2016年3月上市的Galaxy S7（暫稱）。

無論在資料處理速度或性能上，三星製程水準都在業界名列前茅，而借著這次量產的機會，三星代工事業收益性可望更上一層樓。

另一方面，SK海力士2016年則將執行史上最大規模，上看6.5兆韓元（約53.5億美元）的投資計劃。

由於2015年投資規模為6.4兆韓元，因此根據估計2016年投資至少增加1，000億韓元，約6.5兆韓元。

SK海力士相關人士表示，經營條件雖然困難，為了奠定未來的成長基礎，仍然必須搶先投資。

SK海力士2013年起就持續擴大設備投資，以拓展競爭力。

2013年投資3.6兆韓元、2014年5.2兆韓元，2015年京畿道利川M14廠竣工，完成量產系統的整頓。

SK海力士2014年的營業利益首度突破5兆韓元的紀錄，也被業界歸功於大膽投資帶來的效果。

2016 年SK海力士的投資重點將放在開發技術、強化成本競爭力與建構相關基礎設施等方面。

除了致力於10納米級DRAM、3D NAND Flash的開發與量產，同時也會持續在韓國利川與清州地區進行興建新廠的投資。

已知SK海力士曾在2015年8月宣布，後續將投入46兆韓元建設M14 等3間新廠。

韓國半導體產業協會常務安基賢（譯名）表示，連大陸都跨足存儲器半導體市場，讓韓國業界充滿危機感，現在強化技術並透過投資維持競爭力，比任何時候都更為重要。

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