三星故計重施，砸12億重金買斷EUV機台！只為阻擊台積電！

2020-09-12

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近日，全球各大半導體廠搶進先進位程，紛砸大錢向獨家供應商艾司摩爾（ASML），訂購要價1.5億美元（摺合人民幣約10億元）起跳的極紫外光微影設備（EUV）。

據了解，ASML今年規劃生產的12台EUV機台中，三星擬訂下10台，外界推測三星此舉除考量ASML生產不順外，也趁機阻礙台積電等其他競爭對手的量產進度。

詳情一起來了解。

三星力拚7納米製程

隨著半導體製程愈來愈先進，使得10納米以下先進位程，必須導入波長只有13.5納米的極紫外光（EUV），才能降低晶圓製造的光罩數，縮短晶片製程流程。

雖然目前ASML開發的EUV機台造價相當昂貴，但三星已率先在7納米導入EUV，未來2年包括英特爾（Intel）、台積電、格羅方德（GF）等也都計劃採用。

由於先前曾傳出光學鏡頭生產商蔡司（Carl Zeiss）供應不足，導致ASML的EUV機台生產不順。

而如果最後三星真的將該關鍵設備壟斷，將阻礙其他競爭對手台積電的開發先進位程的進度，而這對於三星拓展晶圓代工業務相當有利。

EUV帶來技術性突破

極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography）又被稱作EUV光刻，它以波長為10——14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。

具體為採用波長為13.4納米的軟X射線。

極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然後放射出紫外線。

據悉，EUV光刻採用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5納米，它能夠把光刻技術擴展到32納米以下的特徵尺寸。

目前，光刻技術已成為現代集成電路設計上最大的瓶頸。

以往CPU使用的45納米、32納米工藝都是由193納米液浸式光刻系統來實現的，但是因受到波長的影響還在這個技術上有所突破是十分困難的，而採用 EUV光刻技術就會很好的解決此問題，也會為該領域帶來一次飛躍。

EUV或成晶片企業致勝關鍵

事實上，三星先前在OLED的市場爭奪戰中就用過相同手段，並因此嘗到甜頭。

三星當時也是從獨家供應商日本Canon Tokki手中，將生產的7台OLED蒸鍍機買下其中5台，讓競爭對手LG Display及中國大陸的京東方分別只搶到1台，發展追不上三星。

而台積電作為全球最大的半導體代工企業也有它的優勢，由於它一直居於領先地位，獲取了豐厚的利潤，這為它持續研發先進工藝提供了資金支持，近兩年在三星的逼迫下它正在不斷提升研發投入。

事實上，在7納米工藝上的競爭，可能會引發全球兩大晶片企業高通和蘋果訂單的變動，業界傳出消息指高通很可能將其明年的高端晶片驍龍845交給台積電，而三星則可能奪得蘋果A12處理器的訂單。

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