三星7nm工藝突破 全球首次極紫外光刻成功
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隨著硬體工藝製程越來越向1nm逼近,原有的半導體光刻工藝技術已經出現了越來越明顯的局限性。
因此,製程技術如果想要有更高的突破,並且在未來7nm、5nm、3nm製程節點上有所發展,那麼就必須要有新的製程技術。
近日,根據外媒報導,三星已經完成了7nm新工藝的研發,比原進度提早了半年,這為三星與台積電爭搶高通驍龍855代工訂單奠定了基礎。
同時,7nm製程工藝的成功,也意味著全球首例極紫外光刻技術的成功。
同時,也使三星在與台積電競爭中占得先機。
此外,考慮到目前英特爾的10nm製程工藝依然尚未發布,因此三星在7nm製程上無疑領先了不少。
EUV極紫外光刻技術是下一代、甚至未來幾代製程工藝的主要技術,英特爾10nm雖然依舊沒有發布,但其EUV技術研發方面同樣取得了不小的成就。
今年年底,英特爾有望推出10nm製程工藝處理器。
而且從電晶體密度上來看,英特爾的10nm製程技術其實是要領先於三星7nm製程技術的。
不過在三星占得先機之下,英特爾很有可能又會被冠上「擠牙膏」的稱號。
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