聯電攜日廠PSCS 搶進ReRAM
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日本系統大廠Panasonic旗下半導體子公司Panasonic Semiconductor Solutions（PSCS）與晶圓代工廠聯電宣布策略合作，雙方將共同針對新一代可變電阻式存儲器（ReRAM）合作開發次世代40納米製程技術，預計2018年可以開始送樣。
由於DRAM及2D NAND Flash製程微縮已達物理瓶頸，除在電晶體架構上往3D架構發展外，新一代ReRAM已成許多存儲器廠或系統業者爭相布局的市場。
PSCS在與日本富士通（Fujitsu）合作開發ReRAM後，昨日宣布與聯電建立合作關係，投入40納米ReRAM製程開發。
ReRAM是與NAND Flash一樣的非揮發性存儲器，可藉由電壓脈衝於金屬氧化物薄膜，產生的大幅度電阻變化以記錄1和0。
其製程化繁為簡，由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成，使其同時有低功耗和高寫入速度的優點。
PSCS於2013年即開始量產0.18微米製程ReRAM，並與8位元微控制器共同搭載在可攜式醫療裝置當中。
PSCS指出，此次的合作結合了PSCS研發的40納米ReRAM製程技術，以及聯電具高可靠性的CMOS製程技術，合作開發的次世代ReRAM不僅能應用在IC卡及穿戴裝置，也能大量應用在成長快速的物聯網應用中，相關晶片將在2018年開始進行送樣，並可望在2019年進入量產。
Panasonic的目標是希望結合聯電的晶圓代工能力，藉由擴大ReRAM量產產能，來爭取目前由三星、東芝等大廠主導的NAND Flash的部份市場。
來源：中時電子報
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