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英特爾10納米製程將優先生產3D NAND Flash

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之前，晶片大廠英特爾(英特爾)在中國舉行的「尖端製造大會」上，正式向大家展示了藉由最新的10納米製程技術所生產的晶圓，並且表示由10納米製程技術所生產的Cannon Lake處理器將會在2017年年底之前開始量產。

只是，現在有消息透露，首批進入到市場的英特爾 10納米製程技術產品，將不會是大家期待的CPU，而是目前市場價格高漲的NAND Flash快閃記憶體。

根據業界人士透露，英特爾計劃在自家最新的64層3D NAND Flash快閃記憶體上使用最新的10納米製程技術。

至於為何在3D NAND Flash快閃記憶體上首先使用新製程技社，很可能是因為NAND Flash快閃記憶體的結構相對簡單，基本上就是大量同類電晶體的堆積。

相較之下，CPU處理器的架構就顯得複雜多了。

而就由使用新製程技術來生產，複雜性也是關係成功與否的重要風險之一，而這也是英特爾在14納米製程、10納米製程上屢屢延後推出的一項主要因素。

而依照英特爾的說法，10納米製程技術使用了FinFET(鰭式場效應電晶體)、Hyper Scaling(超縮微)技術，可將電晶體密度提升2.7倍，結果自然可以大大縮小晶片面積，對NAND Flash快閃記憶體的設計來說，當然就能極大地提升容量。

不過，目前還不清楚英特爾的10納米製程NAND Flash快閃記憶體的具體生產情況為何，但是可以確認的是，未來該批產品將會首先運用於資料中心的市場，等成本下降之後，再推廣到消費等級市場領域。

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