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中芯國際進軍PRAM存儲，蠶食三星40nm產能

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近日，中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業中芯國際（SMIC），與阻變式存儲器（RRAM）技術領導者Crossbar，共同宣布雙方就非易失性RRAM開發與製造達成戰略合作協議。

作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協議，基於中芯國際40納米CMOS製造工藝，提供阻變式存儲器組件。

這將幫助客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯網、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業及汽車電子市場需求。

中芯國際曾發展過130nm到65nm製程的NOR快閃記憶體，2014年自主研發的38nm製程取得突破，繼而轉向更加先進的NAND快閃記憶體，將使用40nm工藝代工PRAM阻變式存儲器晶片，意味著中芯國際已經進入了下一代內存產業。

RRAM元件能夠集成到標準的CMOS邏輯工藝當中，在標準CMOS晶圓的兩條金屬線之間。

這將促成高度集成的非易失性存儲器解決方案的實現，將片上非易失性存儲器、處理器核、模擬及射頻集成在一個單獨的晶片上。

高度集成的MCU及SoC設計廠商需要非易失性存儲器技術，Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴展性使非易失性存儲器組件在更低工藝節點的MCU和SoC中集成成為可能。

中芯國際能夠幫助Crossbar攤薄晶片成本，縮短入市時間。

目前，中國半導體政策目前主攻存儲器產業，2015年以來也透過不斷併購相關供應鏈來加快成長腳步，晶圓產能擴充積極。

中國半導體政策持續帶給三星存儲器部門一定的競爭壓力，勢必分散三星在晶圓代工產業的專注度。

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