梁孟松於1992年加入台積電，2003年以自主技術擊敗IBM揚名全球的130納米「銅工藝」，被認為其功勞僅次於資深研發副總蔣尚義，隨後在台積電的工藝演進中繼續擔任重要角色，更是FinFET工藝的重要負責人;2011年入職三星，三星14納米FinFET工藝在梁孟松的技術指導下研發，在某種程度上完成了對台積電16納米FinFET的反超，三星也憑此工藝搶下了高通的訂單。

而中芯國際作為中國大陸最具代表性的晶圓代工廠商，被國家寄予厚望實現自主先進工藝製造，此次吸引梁孟松的加入可謂意義非凡。

首先，梁孟松自身的影響力將為中芯國際的「騰飛」提振士氣，梁孟松有著33年夯實的半導體IC和晶圓製造經驗積累，曾師承FinFET發明人之一的胡正明門下，先後就職AMD、台積電(16年)和三星(7年)擔任技術研發要職並業績卓著，在行業內已樹立其起強大的影響力;二是梁孟松對14納米、10納米和7納米 FinFET先進工藝技術的掌握以及管理經驗的諳熟，將直接為中芯國際帶來利好。

目前，中芯國際恰逢28納米和14納米的關鍵節點，而梁孟松的加入，將直接加速其14納米工藝的研發進程。

當然，梁孟松帶領中芯國際突圍仍面臨不小的挑戰。

目前中芯國際主要的收益仍來自0.15um-0.18um工藝，最先進的28納米營收目前只占6.6%，而14納米工藝才剛投入研發，主要競爭對手台積電、三星等已成熟量產14納米工藝及10納米工藝，7納米已開始進入研發階段。

同時，聯電今年Q2也在14納米開始貢獻收入(1%)，28納米的貢獻已經達到了28%。

相比之下，中芯國際的差距還很明顯。

如何縮短此技術與時間差，是一個很大的挑戰。

雖然中芯國際在28納米低端Polysion良率不錯，但在主流28納米HKMG良率方面一直不如預期。

如果中芯國際不能在28納米HKMG、14納米FinFET先進位程追趕上對手，在越來越高難度的10納米和7納米則更難突破。

不僅如此，台積電、聯電等對手已經把戰火燒至「家門口」，除聯電廈門12寸廠已開始導入28納米之外，台積電南京廠更將於2018年下半年投入12寸16納米製程，中芯國際恐被聯電和台積電用28/16納米的攻勢前後夾擊，其競爭壓力將日漸增大。

雖然挑戰客觀存在，但相信梁孟松的加入非常有希望打破這一技術瓶頸，甚至打破現有的競爭格局。

未來幾年，中芯國際必定加速28納米HKMG、14納米FinFET製程的研發速度，至少對於晶圓代工廠如聯電、Global Foundries有實力抗衡。

台積電、三星雖然短時間無憂，但中芯國際恐怕仍會加強對台灣晶圓代工廠的挖角，屆時台積電勢必有人才流失的風險及因此帶來的心理壓力，這也是一種側面敲打。

總體來看，中國發展半導體產業已不是單一企業的志願，而是整個國家政策傾所有資源來扶植。

在寬鬆政策的背景下，梁孟松加入中芯國際帶來先進晶圓工藝技術，將有望助力中芯國際披荊斬棘步入一流晶圓製造大廠陣列，正式拉開大陸半導體晶圓完全「自主」的序幕。

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2020-08-27

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