聯電28nm正式授權大陸，衝擊中芯國際份額

2020-09-09

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來源：內容來自tehnews，謝謝。

晶圓代工廠聯電獲准授權28 納米技術予中國子公司聯芯集成電路製造（廈門），聯芯28 納米預計第二季導入量產，將搶攻中國手機晶片市場。

聯芯甫於去年底投產，目前以40 納米製程技術為主，月產能約1.1 萬片規模。

聯電今天公告，獲准技術授權28 納米技術予中國子公司聯芯，技術授權金額2 億美元。

聯電錶示，聯芯將儘快導入28 納米製程，預計第二季可進入量產，將搶攻中國手機晶片市場；聯芯預計至今年底月產能將擴增至1.6 萬片規模。

至於2 億美元技術授權金，聯電指出，將依進度認列，只因與聯芯為母子公司關係，對損益無影響，僅有現金收入。

N-1規則，14nm量產後的推進

根據台灣規定，投資大陸的技術要比台灣的落後一代，也就是所謂的「N-1」規則，聯電這次進入大陸，是因為其14nm正式投入量產。

23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術，已成功進入客戶晶片量產階段，良率已達先進位程的業界競爭水平，此製程將幫助客戶開拓嶄新的應用於電子產品。

聯電CEO顏博文表示，這次達成14nm量產的里程碑，象徵聯電成功攜手客戶，將先進技術導入市場，同時與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續優化此製程，充分發揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優勢，以驅動次世代矽晶片於網絡、人工智慧和各類消費產品等各領域的應用。

聯電14納米 FinFET製程效能競爭力已達業界領先標準，速度較28nm增快55％，閘密度則達兩倍，此外，功耗亦較28納米減少約50％。

此14nm客戶晶片現正於聯華電子台南的Fab 12A晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充其14nm產能。

聯電宣布自主研發的14納米鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術，也宣告聯電已決定將廈門聯芯的晶圓製程推進到28nm量產，搶食在大陸製造最大一塊的手機和網通晶片代工商機。

顏博文強調，14納米FinFET製程效能競爭力已達業界標準，速度比28 nm增快55%，閘密度達兩倍，而且晶片功耗也較28nm減少約50%。

28nm進攻大陸，中芯國際受衝擊？

聯芯集成電路是聯電和廈門政府合作的12寸晶圓廠，計劃開始於2015年，而到2016年6月，該工廠已經交付投產，並在7月底投入試產，良率也高達98%。

在產能布建上，2016第4季月產能約達3千片，從2017年開始，逐季擴充產能，2018年第二季平均月產能就可達到2.5萬片規模。

業界人士認為，聯芯55/40納米米製程可用來生產嵌入式晶片、CMOS影像感測器、通訊晶片等，高通將成為聯芯主要客戶之一。

目前，聯電28納米製程採用嶄新的應力技術(SMT, t-CESL, c-CESL) 與嵌入式SiGe，以強化電子遷移率的表現，專為需要高效能與低功耗之應用產品所開發。

目前已採用28HLP SiON 與28HPM/HPC HK/MG 製程量產多家客戶產品。

聯電現正積極擴增28納米產能，以滿足客戶對此廣受歡迎製程的高度需求。

28HLP – 採用強化的SiON技術

聯電高效能低功耗(HLP) 製程為40納米平順的製程移轉途徑，具備了便於設計採用，加速上市時程，以及優異的效能／成本比。

針對有高速要求的客戶應用產品，此製程提供了大幅提升的效能與功耗，速度可較業界其他晶圓專工廠提供的28nm SiON製程提升10%。

28HPM/HPC - 採用高介電係數／金屬閘極堆疊技術

聯電28HPM/HPC 技術廣泛支援各種元件選項，以提升彈性及符合效能需求，同時針對多樣的產品系列，例如應用產品處理器、手機基頻、WLAN、平板電腦、FPGA 及網通IC等。

具備高介電係數／金屬閘極堆疊及豐富的元件電壓選項、記憶體位元組及降頻／超頻功能，有助於系統單晶片設計公司推出效能及電池壽命屢創新高的產品。

在聯芯進入28nm之後，因為聯電的良率明顯比中芯國際的穩定，而這個製程更是中端手機晶片和高端網絡晶片的必備製程，他們進入大陸，勢必會給中芯國際造成衝擊。

對於中芯來說，需要應對的問題又多了一個。

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2020-09-10

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