HKMG 因流程的差異、金屬閘極在源極與汲極區之前或後形成，而分為 IBM 為首的 Gate-first 與英特爾為主的 Gate-last 兩大陣營，Gate-last 要做到與 Gate-first 管芯密度相同，需要較複雜的工序以及設計端的調整，因此台積電、格羅方德等大廠一開始都是采 Gate-first 製程，聯電則采混合式，但都遭遇到 Vt 臨界電壓難以控制，功耗暴增難解的情況，台積電在 2010 年發展 28 納米製程毅然決然改走 Gate-last，在 2012 年，包含 HKMG 製程的 28 納米全世代製程技術都量產，而直到 2014 年下半，聯電才推出 28 納米 HKMG 製程。

步步進逼台灣晶圓代工二哥

聯電 2009 年推出 40 納米，中芯直至 2013 年才量產 40 納米，到了 28 納米製程，聯電在 2014 年第一季量產，中芯在 2015 年 8 月有高通的扶持，也宣告 28 納米量產出貨，從三年的技術差距縮小到一年半，現在中芯推出 28 納米 HKMG 也追上來了。

中芯在 HKMG 走的是台積電、聯電的反路，中芯在 28 納米節點原先走 Gate-last，在 2012 年得到 IBM 的協助，簽訂合作開發協議，以 Gate-last 與 Gate-first 兼容進行技術開發。

不同於先前 40 納米的技術授權，IBM 這次協議同意中芯可就研發成果往更先進位程開發，對中芯而言無疑可進一步建立起自身的研發能力。

另外，在客戶端，28 納米除了獲高通驍龍 410 的訂單，在 HKMG 平台也得到中國大唐電信旗下聯芯的支持。

聯電率先登陸設 12 寸廠，先進優勢仍在？

中國大陸近年積極打造自有 IC 一條龍，期望做到 2020 年 40% 核心零部件自主生產。

以中國為中心的半導體群聚正在成形，聯電以參股形式率先登陸廈門設 12 寸晶圓廠，要拼 2016 年第三季投產。

台積電在台灣法規鬆綁後，也確定獨資赴南京設 12 寸廠，在 2018 年下半直接導入 16 納米。

聯電初期登陸以 55/40 納米切入，礙於台灣法規，赴大陸設廠的製程技術需落後台灣一個世代以上（N-1），聯電目前最先進位程技術仍在 28 納米，聯電為了加速超車，放棄 20 納米製程，直接發展 14 納米，但只要製程未能推進到 14 納米，聯電在大陸廠的技術也就無法導入 40 納米以下製程。

在中芯持續壯大下，以及台積電直接在大陸導入 16 納米製程，聯電壓力並不會小。

聯電在 2015 年 6 月宣布已與 ARM 合作完成 14 納米設計定案，預計於 2016 年量產，但聯電在今年 1 月底法說會並未對 14 納米進度多加著墨，僅強調加大對 28 納米的布局，並持續在 28 納米 HKMG 製程之外，再優化推出更低功耗的 28 納米 HPCU 製程。

中芯在 14 納米則獲高通、華為以及比利時研究機構 IMEC 的撐腰，2015 年 6 月四方宣布共同成立合資公司，發展 14 納米技術，力拚 2020 年量產。

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2020-09-03

被台積電甩開的聯電（UMC）能否絕地反擊？

成立於1980年的聯電（UMC），早於台積電（TSMC）創建，曾經領導了台灣地區半導體業的發展。聯電也是台灣第一家上市的半導體公司（1985年）。該公司也曾以策略創新見長，首創了員工分紅入股制...

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