長江存儲、晉江聯電、合肥長鑫,三大勢力明年或全面對決

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集微網消息,據台灣媒體報導,近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰,長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠,聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產,並在南科廠同步研發25、30納米製程,至於合肥市與北京兆易創新(GigaDevice)合作的合肥長鑫,由前中芯國際執行長王寧國操刀,大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年,搶當大陸DRAM產業龍頭。

儘管大陸布局自製3D NAND Flash雛形漸現,長江存儲將與已購併飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作,切入32層和64層3D NAND技術,由於門檻較高,長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠,然值得注意的是,全球存儲器產業將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。

目前大陸DRAM勢力處於戰國時代,至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖,除了長江存儲之外,還有聯電旗下福建晉華,其主要操盤手為前瑞晶總經理、現任聯電資深副總陳正坤,第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色,將統籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術發展,然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規範,若是自行研發DRAM技術必須先量產3D NAND,但若對外購買技術則無此限制,使得長江存儲積極與國際大廠合作,以加速DRAM量產,並獲得專利保護傘。

長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權,業界亦傳出正著手評估自建或購併現有晶圓廠的可能性,甚至有意跟隨台積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠,長江存儲執行長楊士寧則表示,將以購併現有晶圓廠為第一考量。

近期武漢新芯12吋新廠已經動起來,單月產能規劃30萬片,涵蓋NAND Flash和DRAM晶片,然業界預期長江存儲兩大產品線的生產基地,最終仍會分開進行。

至於大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發自製,希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術,以爭取大陸DRAM產業寶座。

聯電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工,預計2018年進入量產,業界傳出大陸注資近新台幣100億元,讓聯電在南科廠同時進行25、30納米技術研發,預計2017年底完成技術開發,福建晉華則配合在2018年下半裝機,屆時聯電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。

儘管福建晉華至少要投入25納米以下製程技術,才有機會獲得大陸官方青睞,但聯電採取較謹慎作法,避免一下子投入25納米技術開發面臨失敗風險,遂同時研發30納米作為備案。

大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫,原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房,傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計,然近期業界傳出該陣營將豪擲逾新台幣1,000億元,同時進行DRAM研發和製造。

目前大陸這三股DRAM勢力持續進行招兵買馬,並雙頭並進朝向技術專利授權及自主技術研發模式發展,希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位,預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產並陷入激戰。


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