富士通與Nantero達成協議，2018年推出NRAM存儲器

富士通半導體和三重富士通半導體上周共同宣布，他們已與總部位於美國的 Nantero 公司達成協議，授權該公司的碳納米管存儲器 （NRAM） 技術，三方公司未來將致力於 NRAM 存儲器的開發與生產。

據了解，藉由 NRAM 技術所生產的存儲器速度將是當前普通存儲器的 1000 倍。

預計，藉由三方面的合作，將在 2018 年推出藉由 55 納米製程所生產的 NRAM 存儲器。

在納米技術研究領域，碳納米管 （CNT） 是一種很獨特的材料，直徑只有人類頭髮的五萬分之一，能導熱導電，硬度是鋼鐵的 50 倍。

在儲存領域，碳納米管通過矽基沉底也能達到 0 與 1 變化。

因此，也可以用來當做儲存晶片使用，而且因為其特性為非揮發性，所以就算斷電也不會清除儲存在上面的信息。

而由於碳納米管有著特別的特性，因此相較於當前的普通存儲器，NRAM 晶片的具有非常強大的優勢。

除了讀寫速度是普通快閃記憶體的 1,000 倍（ Nanteo 官網上表示是 1,000 倍）之外，同時可提供功耗更低，更具可靠性與耐用性的存儲器，而且生產成本更低。

富士通半導體系統存儲器副總裁松宮正人表示，藉由 Nantero 公司的碳納米管技術而生產的非揮發性儲存內存是業界的一個超越了傳統技術的顯著進步。

而富士通半導體自 90 年代以來，一直是在設計和生產非揮發性存儲器 FRAM (鐵電隨機存取內存) 的少數廠商之一。

因此，富士通半導體具有整合 FRAM 設計和生產的能力。

如今再與 Nantero 公司達成協議之後，未來將就由過去設計與生產 FRAM 的能力，用於開發 NRAM 存儲器，以滿足市場的需求。

Nantero 董事長兼執行長 Greg Schmergel 指出，Nantero 已經在碳納米管的內存儲存技術上研究了十多年，具備生產 NRAM 存儲器的先進技術。

而本次與富士通半導體與三重富士通半導體兩家公司的合作，由於兩家公司都是全球生產儲存設備中最成功的企業之一。

藉由其在研發與生產 FRAM 的經驗，未來可以在 NRAM 存儲器的合作上產生更大的效益，建立更緊密的關係。

不過，對於此合作案，有業界人士指出，Nantero 公司自從 2006 年就說要開始生產碳納米管存儲器了。

但是，到現在一直沒什麼特別的進展。

未來，即便是跟富士通半導體達成了合做協議，量產的 NRAM 晶片容量還是不夠大，只適合一些嵌入式設備使用。

所以，未來是不是能夠改變整個存儲器的生態，還有待進一步的觀察。

來源：TechNews科技新報