文章標籤：中芯國際納米FinFET製程接近研發完成預計量產

中芯國際14納米FinFET製程已接近研發完成，預計2019年可以量產

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根據供應鏈傳出的消息指出，中國大陸最大的晶圓代工廠中芯國際，目前最新的14納米FinFET製程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準。

因此，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠了。

據了解，根據中芯國際最新的財報顯示，目前中芯國際最先進的製程為28納米。

但是以2018年第1季的財報數字來看，28納米占其營收不過3.2%，相較聯電、英特爾等先進位程發展較慢的廠商來說，落後的一個世代以上，更罔論與先進位程開發進度較快的台積電、格羅方德、三星等企業已經準備切入7納米製程相較，更是足足落後3個世代以上。

為了追趕這樣的落差，中芯國際不但在2017年底延攬三星電子及台積電的前高層梁孟松來擔任聯席首席執行長的職務，主要就是希望藉由他過去的經驗，指導中芯國際在發展14納米FinFET製程上的進程，使中芯國際的14納米FinFET製程能在2019年達成量產的目標之外，還在2018年初宣布，將聯同兩大政府產業基金共同投資102.4億美元，以加快14納米及以下先進位程研發和量產計劃，最終達成每月量產3.5萬片的目標。

如今，在中芯國際的14納米FinFET製程達到良率95%的情況下，等於是向目標又邁進了一大步......查看全文請點擊下方「了解更多」

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