DRAM微縮到頂！新內存MRAM、ReRAM等接班？
DRAM和NAND Flash微縮製程逼近極限，業界認為次世代內存「磁電阻式隨機存取內存」(MRAM)、「可變電阻式內存」(ReRAM)可能即將現身，要以更快的訪問速度橫掃市場。韓媒Busine...
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延伸文章資訊
- 1ReRAM | TechNews 科技新報
Panasonic 攜聯電研發次世代ReRAM；採40nm、明年送樣. 2017 年02 月02 日 ... 中國先行試產出40 奈米ReRAM，進一步卡位記憶體市場. 2017 年01 月17...
- 2可變電阻式隨機存取記憶體（ReRAM） - 台灣富士通 - Fujitsu
可變電阻式隨機存取記憶體（ReRAM）. Datasheet Download. Resistive Random Access Memory ReRAM. With the industry'...
- 3读书笔记一：RRAM (ReRAM) - 知乎
声明：本文涉及所有内容均来自Shimeng Yu的Resistive Random Access Memory（RRAM）: From Devices to Array Architecture...
- 4MRAM、PCM和ReRAM，下一代的存儲器會是誰？ - 每日頭條
英特爾、IBM、三星、美光科技和松下都已經開始PCM的布局。 ○ ReRAM：電阻式隨機存取非易失性存儲器。ReRAM關閉電源後存儲器仍能記住 ...
- 5市場報導： 富士通將推出高密度8Mbit ReRAM、適用於小型 ...
此款全球最高密度的ReRAM量產產品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(註2)合作開發，將於今年(2019) 9 ...
中芯國際出樣40nm工藝的ReRAM意義何在？
版權聲明：本文內容整理自網絡，如您覺得不合適，請與我們聯繫，謝謝。作為中國本土半導體製造的龍頭企業，中芯國際（SMIC）的新聞及其取得的成績一直是行業關注的焦點。2017新年伊始，其一如既往地吸...
中芯國際40nm ReRAM存儲晶片出樣：比NAND快1000倍！
目前在下一代存儲晶片的研發當中，除了3D XPoint晶片外還有ReRAM晶片（非易失性阻變式存儲器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發力中國市場。其中，中芯國際將...
聯電攜日廠PSCS 搶進ReRAM
日本系統大廠Panasonic旗下半導體子公司Panasonic Semiconductor Solutions（PSCS）與晶圓代工廠聯電宣布策略合作，雙方將共同針對新一代可變電阻式存儲器（R...
紫光南京半導體基地項目簽約；中芯國際40納米ReRAM晶片出樣
1月18日，紫光集團南京半導體產業基地項目及新IT投資與研發總部項目在南京正式簽約，再次為紫光集團實現「芯—網—雲」的戰略目標划下重要一筆。此次紫光集團在南京的兩大項目總投資達到2600億元人民...