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英特爾發布10nm製程 性能領先台積電和三星

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台積電與三星的晶圓領域均已經進入了 10nm 製程，半導體大廠英特爾(Intel）也不甘示弱，今天在中國北京所舉辦的尖端製造大會上，英特爾正式公布了自家的 10 nm 製程技術，以及全球首次對外展示的 10 nm 晶圓。

英特爾還宣布，該公司將會在接下來的技術大會上，除了介紹自家的 10 nm 製程技術之外，同時也將於競爭對手，也就是台積電以及三星的 10 nm 製程技術進行比較。

在本次大會上，英特爾製程架構總監 Mark T.Bohr 發布了英特爾的 10 nm 製程技術。

Mark T.Bohr 表示，與台積電和三星等競爭對手相比，可以看出英特爾的 10 nm 製程在鰭片的間距、柵極間距都低於台積電和三星，而且最小金屬間距更是大幅領先競爭對手。

另外，從最終邏輯電晶體密度參數上面，英特爾的 10 nm 製程技術能夠達到每平方毫米 1 億晶體數，而台積電為 4800 萬，三星為 5160 萬，也就是說英特爾的 10nm 製程技術的晶體密度是台積電的 2 倍還多。

另外，英特爾執行副總裁 Stacy J.Smith 做完英特爾未來戰略演講後，Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 nm 製成技術所打造的圓晶，這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎部分。

這次是英特爾首次全球展示 10 nm 的圓晶，雖然英特爾表示自家的 10 nm 製成技術還將會領先競爭對手很多，而且未來還會有 10 nm+ 以及 10nm++ 製程技術。

不過在目前英特爾還沒有對最新的 10nm 製成技術透露更多的技術資訊。

英特爾已經表示，將會在 2017 年底前正式投產 10 nm 製成技術的處理器。

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