全球前20大半導體廠商的中國布局

中國龐大的市場，加上本土對半導體的渴求，吸引了越來越多的半導體廠商在中國投資建設和合作建廠。

下面我們來盤點一下全球前十半導體廠商的中國布局。

我們看一下IC Insights 統計的2015 年全球前20 大半導體廠商。

Intel：NAND與創新基金齊下

Intel雄霸全球半導體營收榜首的位置長達二十年之久，但在最近幾年的移動變革中，Intel似乎轉型乏力，於是Intel正在採取各種手段，再度爭取先發優勢，例如買下FPGA公司Altera，買下人工智慧初創企業Nervana Systems，布局人工智慧，深度計算等，另外在中國的大市場，Intel也倍加關注。

（1）Intel 90億元入股紫光展訊

2014年，Intel與紫光集團發表聲明：「英特爾將向紫光旗下持有展訊通信和銳迪科微電子的控股公司投資人民幣90億元（約15億美元），並獲得 20%的股權。

」 此次投資預計於2015年完成。

根據協議條款，Intel技術合作、戰略布局等重點合作對象是展訊，銳迪科主要參與產品銷售工作。

展訊將聯合開發和銷售一系列基於英特爾架構的系統晶片，並計劃於明年下半年推出首批基於英特爾架構的系統晶片產品。

英特爾公司執行長科再奇（Brian Krzanich）表示：「中國現在是全球最大的智慧型手機消費市場，並且擁有世界上人數最多的網際網路用戶。

英特爾在中國已有29年的投資歷史，此次與清華紫光的戰略合作，是英特爾在中國發展歷程中的一個新的里程碑。

本次合作將令英特爾能夠更多更快地交付基於英特爾架構和通信技術的解決方案，從而提高支持中國及世界各地更廣泛移動用戶的能力。

」

展訊通信董事長兼執行長李力游博士也表示：「採用英特爾架構技術，這將加速我們系統晶片（SoC）的發展並豐富我們的產品組合，令中國及全球的手機廠商都從中受益」

（2）與大連政府合作生產NAND FLASH

2015年底，半導體產業龍頭英特爾宣布與大連政府配合，將原先以65 納米製程生產處理器晶片的中國大連廠，轉型為生產最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達55 億美元，預計於明年下半年開始量產。

根據TrendForce 旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange 最新公布數據，2015 年整體中國市場NAND Flash 總消耗量換算產值高達66.7 億美元，占全球產值29.1%，明年更可望達到全球NAND Flash 產量的三分之一，成長幅度十分驚人。

DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，英特爾大連廠在2010 年完工，原先規劃以12 吋晶圓搭配65 納米製程來生產中央處理器為主，但經營績效不如預期。

此次轉型生產最先進的3D-NAND Flash，除了可以提升大連廠的生產績效外，也可望搭上中國記憶體消耗量起飛的快速成長期，以及最重要的配合中國政府積極投入記憶體產業的大趨勢，可謂雙贏布局。

根據英特爾投資金額與大連廠的產能建置來評估，DRAMeXchange 初步預估每個月至少可布建30,000-40,000 片的3D-NAND Flash。

英特爾在與美光共同開發3D-NAND Flash 以及3D XPoint 等戰略合作關係更加緊密的情況下，新增的大連廠3D-NAND Flash 產能將提供美光英特爾陣營更有彈性的產能規劃，來滿足高成長的固態硬碟需求。

（3）Intel成立中國智能設備創新基金

2014年的IDF上，英特爾公司的全球投資與收購兼并機構宣布設立總額為 1 億美元的「英特爾投資中國智能設備創新基金」，旨在加速包括平板電腦、智慧型手機、PC、2 合 1 設備、

可穿戴設備和物聯網等智能設備及其相關領域的技術創新。

該項基金是在 2014 英特爾信息技術峰會 （IDF） 上宣布的。

配合同時宣布落戶深圳的「英特爾智能設備創新中心」，基金將為包括平板電腦、智慧型手機、PC、2 合 1 設備、可穿戴設備和物聯網解決方案等相關領域的創業公司提供所需的資金，幫助他們在英特爾技術平台上進行創新。

新基金的設立再次印證了英特爾投資對中國技術創新及其生態系統發展的承諾與支持。

英特爾投資總裁兼英特爾公司執行副總裁蘇愛文 （Arvind Sodhani） 表示：「智能設備和物聯網的創新促進了全新計算技術生態圈的生成，英特爾投資對這一趨勢感到非常興奮。

我們的投資活動涵蓋從新興智能設備和傳感器到網絡、基站、伺服器以及大數據分析等諸多領域，並致力於通過資金和技術支持來推動整個生態鏈條的發展。

」

「英特爾投資中國智能設備創新基金」是英特爾投資在中國設立的第三支基金，它為現有的「英特爾投資中國技術基金II」提供補充，後者將繼續專注於雲計算、大數據、軟體開發和服務、半導體設計生產以及英特爾研究院等更廣泛的投資領域。

三星：晶圓廠與封測廠雙管齊發

三星作為全球最大的DRAM和NAND FLASH供應商，面對中國龐大的市場，也是虎視眈眈，尤其是在中國近年來加大力度發展半導體，尤其是存儲，所以三星也進一步推進了和中國的半導體合作。

（1）三星在西安建立其在中國的第一座晶圓廠

為扭轉智慧型手機業務頹勢，緊抓中國設備熱潮，韓國三星電子2014年宣布投資約900億元在中國西安興建晶圓代工廠，加碼半導體業務。

行業分析師認為，此舉將影響全球行業走勢，可能帶動全球晶圓代工投資熱潮。

三星在西安的投資，表面上是一座最先進的晶圓廠，生產手機用快閃記憶體（NAND Flash），然而骨子裡，卻是印證三星戰略轉向的重大改變——從過去手機挂帥的系統品牌廠，重回零組件廠商的定位。

這項重大轉變，矛頭直指台灣，從三星半導體基地正式運轉，想閃開三星的破壞力，幾乎已經是不可能了。

如果把西安當成一個即將崛起的「都市重劃區」，那麼，南韓不僅有大企業三星帶頭走進西安，就連政府也積極響應，南韓總統朴槿惠2013年中到訪三星西安基地，成為首位出訪西安的南韓總統。

西安也張開雙臂，熱烈歡迎三星的到來。

我們來到三星所在的保稅區，偌大的黃沙土地中矗立著一座大晶圓廠，周遭的馬路、圍牆還在趕工建設，但它門禁森嚴，管你是高新區管理局、政府官員，只有三星能決定給誰放行。

三星到來前，這裡是一大片一年兩收的麥田，錯落著些許當地著名的奶油草莓園。

為了三星，西安市政府搬遷了18座自然村、萬餘人口，剷平了相當於16座台北市大安森林公園的麥田，做為三星與其配套廠商專屬的保稅區。

另外還有一座面積相當，包含了住宅、學校、娛樂、購物、公園、行政區、教會等的配套園區，同樣專屬三星使用，名為「三星城」。

三星在這裡，土地、廠房全由政府提供，政府為了替它解決「缺水欠電」的問題，特別從鄰近的漢中市調撥過來。

就連稅負也享有超級優惠──沿海企業稅率25％，在西安優惠稅率15％，但三星據說是「10免、10減半」（10年免稅、10年稅率減半）。

「要什麼、有什麼，它（三星）在這跟神仙一樣！」一位西安當地員工說。

（2）在西安建封測廠

三星在2013年宣布將投資5億美元，在西安建設封裝和測試工廠。

三星計劃擴大在中國的業務運營。

2012年，三星在西安投資70億美元建設晶片工廠，而今年1月又向崑山的業務運營投入了17億美元。

三星目前是全球最大的手機、存儲晶片和電視機廠商，該公司正計劃擴大客戶群，更好地控制製造網絡，包括在中國的250家供應商工廠。

這一封裝及測試工廠的建設預計將於2014年1月開始，計劃於2014年底完成。

台積電：12寸晶圓廠落戶南京

台積電似乎在中國風風火火的晶圓建設中感受到了威脅。

在去年年底，台積電宣布，計劃在江蘇省南京市設立一座12英寸晶圓廠，並在南京設立設計服務中心，以建立台積電在大陸的生態系統。

台積電計劃投資總額約為30億美元，主要是為了拓展大陸市場商機。

根據台積電規劃，在南京設立的12英寸晶圓廠為台積電獨資公司，月產能為2萬片晶圓。

預計2018年量產，後續產能將會擴展到4萬片。

同時，台積電將在南京設立設計服務中心，以建立台積電在大陸的生態系統。

有內部人士聲稱該工廠將引進16nm技術。

台積電稱，該廠不是為中國大陸客戶提供專門服務，而是面向全球客戶。

晶圓是指矽半導體集成電路製作所用的矽晶片。

作為全球晶片代工巨頭的台積電，此前在上海松江設立的工廠一直只能生產8英寸晶圓。

目前主流的晶圓規格是12英寸，中國半導體市場巨大，為了獲得更多的客戶，海力士、三星、英特爾、台聯電等外資廠商大多都在中國設立了12英寸晶圓廠。

台積電認為，近年來大陸半導體市場成長快速，加上大陸政府的支持，未來市場成長可期，是任何半導體公司在思考其全球布局時必須重視的市場。

台積電稱，「為了更進一步增加台積電在大陸的商機，我們決定赴大陸設12英寸晶圓廠。

」 過去五年，台積電在大陸的業務年複合增長率已超過 50%。

台積電介紹，為了在大陸設廠，今年7月，台積電派出了以何麗梅資深副總為首的十二人考察團隊，到大陸多個城市進行實地考察。

南京市位於長江三角洲，具地理與交通優勢。

對於最終選擇了落戶南京的原因，台積電稱江蘇省在過去幾年已逐漸發展出較為完善的半導體產業供應鏈，南京市就近有優秀且豐富的工程技術人才，同時當地政府的合作意願較大。

據了解，台積電在南京設立的晶圓廠員工約為1200名，設計服務中心員工約500人。

初期，台灣總部與上海松江廠將派駐員工協助在南京建廠與產能配置，後續將根據建廠進度陸續招募當地人員。

在該廠量產之前，台灣派駐的員工占比將超過50%。

台積電計劃在南京投資總額約為30億美元，據悉，包括來自台灣現有晶圓廠的機台設備價值以及各級政府在集成電路產業上的政策優惠。

台積電的凈投資金額會低於30億美元。

目前，台積電已經向台灣「投審會」遞交了相關文件，上述投資計劃將於「投審會」核准後執行。

一旦台積電在南京完成建廠，將為其分羹大陸晶片代工市場提供更多的競爭籌碼。

台積電成立於1987年，是全球最早也是目前產能最大的半導體晶片製造商之一。

以台積電為代表的半導體產業也成為台灣最重要的支柱產業。

SK海力士：12寸DRAM和NAD FLASH晶圓廠無錫，封測廠跟進

2014年開始，SK海力士將加值產品如DDR4 DRAM和NAND Flash，大量轉往中國無錫廠生產，外包給韓國供應商的數量驟減。

未來三年間，該公司將在無錫廠投資25億美元，上個月底執行長Park Seong-wuk拜會中國官員，宣布將先行投資1億美元於DRAM產線，提升納米製程標準。

目前，海力士無錫公司主要產品為12英寸集成電路晶圓，應用於PC，Server，Graphic，Mobile，Graphic等固態存儲器領域。

SK海力士中國公司是無錫市惟一獲得國務院核准建設的工業項目，一期總投資為20億美元，二期投資15億美元，三期項目投資25.55億美元，四期項目投資20億美元，SK海力士項目是國內半導體投資最大、技術最先進的項目也是江蘇省最大的外商投資單體項目。

同樣在2014年， SK 海力士斥資 2.5 億美元打造重慶廠，將負責封裝測試韓國清州廠生產的 NAND 快閃內存（NAND Flash）晶片。

SK 海力士表示，重慶廠能協助該公司滿足中國日益增加的快閃內存需求。

重慶廠占地 28 萬平方公尺，雇有 1,200 名員工，每月可以封測 8,000 萬個 16 GB 的 NAND 快閃內存，供移動設備使用。

去年中國躍居全球最大消費電子市場，當地對內存需求尤為強勁，占國際晶片市場的的 40%。

SK 海力士為中國智慧型手機領導廠商的內存供應商。

高通：合資公司與投資並進

高通作為全球知名的無線設備供應商，在移動時代掙得盤滿缽滿，但是隨著移動市場的增長緩慢，還有早兩年受到中國反壟斷的調查，高通正在加快在中國的合作布局，以及收購NXP切入汽車電子等方式，謀劃未來。

至於在中國的布局，可以從這幾方面看：

（1）中芯與高通華為imec組合資公司 著力開發14納米CMOS量產技術

2015年6月，中芯國際與華為、比利時微電子研究中心(imec)以及高通附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.簽訂合作協議，四家公司將共同投資成立中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司，新公司將致力於開發下一代CMOS工藝。

根據協議，中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司將由中芯國際控股，華為、imec和高通持有部分股份，公司第一階段將基於imec的半導體技術，著力研發14納米CMOS量產技術，後續還將研發14納米以下的CMOS相關技術，研發將在中芯國際的生產線上進行，中芯國際還將有權許可合資企業開發的智慧財產權。

儘管高通之前曾幫助中芯國際開發晶片，但新的合作將涉及更先進的技術。

此舉將有助於高通委託更多公司生產由它設計的晶片。

值得一提的是，除了將產業鏈的上下游公司串聯之外，這四家公司打造的新項目還讓無晶圓半導體廠商(高通)間接參與到工藝研發的過程中。

這對集成電路生產來說意義重大，可以縮短產品開發流程，同時可以加快先進工藝節點投片時間。

新合資企業的第一個目標是，到2020年幫助中芯國際生產與部分競爭對手已經在生產的晶片同一代的晶片。

據分析師稱，目前中芯國際在晶片生產方面落後兩代，因此這一時間表將幫助中芯國際把與英特爾等全球領頭羊的差距縮小一代。

（2）高端晶片導入SMIC 28nm生產

2015年8月，中芯國際宣布，其生產的28nm工藝驍龍410處理器已經成功應用於主流智慧型手機。

這是此前中芯國際去年年底宣布成功製造Qualcomm Technologies處理器後，在28納米工藝合作上再次取得的重大進展。

據悉，中芯國際執行長 兼執行董事邱慈雲博士表示：「首批採用中芯28納米工藝製程的產品質量表現良好，我們憑此獲得了Qualcomm Technologies以及終端手機廠商的認可。

這對整個產業鏈來說同樣意義非凡，我們通過與 Qualcomm Technologies 的緊密合作，實現了中國內地製造核心晶片應用於主流智慧型手機零的突破，開創了28納米先進位程手機晶片落地中國生產的新紀元。

未來隨著28納米工藝的發展，我們期待為 Qualcomm Technologies 與其他全球客戶提供更先進的工藝和更廣泛的技術支持。

里克•阿博利表示：「中芯國際28納米工藝製造的驍龍410處理器是專為大眾市場最新一代智慧型手機和平板電腦設計的一款領先晶片組，其應用於主流智慧型手機並實現商用，標誌著 Qualcomm Technologies 和中芯國際在先進工藝製程和晶圓製造合作上再次取得重大進展。

」

（3）高通與貴州政府成立華芯通，專攻ARM伺服器

2016年1月17日消息，貴州省人民政府與Qualcomm（美國高通公司）今日在北京簽署戰略合作協議，並宣布共同組建一家合資企業，該公司首期註冊資本18.5億元（約2.8億美元），貴州方面占股55%，Qualcomm方面占股45%。

據悉，這家貴州華芯通半導體技術有限公司將在貴州貴安新區註冊，並在北京設有運營機構，主要從事設計、開發並銷售供中國境內使用的先進處理器晶片。

根據協議，Qualcomm將向合資公司提供其伺服器晶片專有技術，支持新公司在未來的發展。

而除了組建合資公司之外，Qualcomm還將在貴州設立一家投資公司，作為其未來在中國進行投資的載體。

通過結成戰略合作，貴州省政府和Qualcomm將建立長期承諾，整合利用優勢資源，實現互利共贏。

對於此次戰略合作，Qualcomm總裁德里克·阿博利表示：「過去20多年裡，我們一直與中國的合作夥伴積極合作，而此次與貴州省開展戰略合作將進一步加強我們在中國市場的協作關係。

我們不僅將提供投資資金，還將向合資公司許可我們的伺服器技術，並提供研發流程和實施經驗的支持。

這充分表明我們在中國作為戰略合作夥伴的承諾。

」

貴州省政府常務副省長秦如培則表示，此次Qualcomm攜行業領先的伺服器晶片技術與貴州合作，是Qualcomm對市場和技術進行全面審慎分析後的戰略選擇，也是貴州發展集成電路產業的重大機遇。

我相信，雙方合作一定能夠結出豐碩成果。

（4）高通面向中國初創企業提供 1.5 億美元戰略投資基金

高通在2014年宣布，面向中國初創企業提供總額為 1.5 億美元的戰略投資基金。

這些基金主要集中投入在網際網路、電商、半導體、教育和健康領域的初創公司。

而在之前，高通已經宣布投資幼兒英語教育服務「劍橋WOWO」和集減肥工具、服務、論壇與一體的薄荷網。

高通此前在中國已有超過十年的投資經驗，曾參與多個知名網際網路項目的投資，其中包含本次受邀參加會議的小米、觸寶、中科創達和億動廣告傳媒。

此外還有移動遊戲開發商 Enorbus （後被迪士尼收購）、移動漫遊解決方案供應商 Aicent （後被 TA Associates 收購）、海豚瀏覽器和網秦等。

同時，他們也打算在中國加強半導體產業的投入，例如他們已經參與投資的半導體設備製造商中微（AMEC）。

早前，高通在物聯網（AllSeen Alliance）、無線充電（Qualcomm Halo）和螢幕顯示技術（MEMS、Mirasol）等產業上游領域不乏動作。

本次投資意向發布更多的是偏向於終端應用方面，在給初創公司帶來高通強勢生態和資源支持的同時也為在未來可能的熱門領域和明星公司中設下布局。

美光：西安建設封測廠

DRAM供應商美光在韓過存儲廠商的攻擊下，日子並不好過，早前盛傳的跟紫光合作又不了了之，但為了中國市場，美光其實也做了不少動作。

例如在西安建封測廠。

（1）攜手力成西安建廠

台記憶體封測廠力成於2014 年底拿下DRAM 大廠美光大單，赴中國西安設DRAM 封裝生產線，並與2016年3月25 日舉行竣工儀式，宣布正式開始量產。

力成宣布，於中國西安與美國DRAM 大廠美光，共同舉行力成西安封裝項目建廠完成開幕儀式，並宣告正式開始產品量產作業。

據悉，力成與美光於2014 年12 月簽訂合約，承接美光西安廠訂單，主要針對標準型DRAM 進行後端封裝。

力成西安封裝產品線，位於美光西安高新技術產業開發區現有測試及記憶體模組廠旁，力成稱新建封裝廠房建置已在去年底如期完成，目前已開始展開量產作業。

力成也與中國紫光集團在2015 年10 月簽訂認股協議，同意以每股75 元新台幣讓紫光參與增資，若台灣有關監管單位同意，紫光將擁有力成25% 股權，成為力成第一大股東，不過，力成在當時即否認紫光的入主與美光西安廠的合作有關。

力成當初預期視產業發展狀況，陸續增加對西安廠的投資，預計六年投入約2.1 億美元。

力成2015 年第四季發布的財測，2016 第一季將較前季下跌，營收將從第三季開始回溫、逐季成長。

（2）與日月光西安建廠？

市場傳出全球第二大dram集團美光(mu-us)與半導體封測龍頭日月光將攜手，在大陸西安合資興建dram封測廠，對此，日月光不願評論；而美光高層證實，正在找合作對象，日月光最可能出線。

一旦美光與日月光合作，全球記憶體封測霸主力成的地位將受威脅。

日月光曾經投入dram封測，2011年日月光退出dram領域，由於日月光在中國上海、蘇州等地原本就設有封裝廠，而dram封測技術門檻不高，有助日月光提升全球市佔率。

美光邀請台廠到西安建廠，以整合封測產線，若日月光和美光合作，日月光在產業優勢與美光穩定訂單支援下，將威脅全球記憶體封測大廠力成的地位。

德州儀器：晶圓廠、封測廠和凸塊加工

2014年，德州儀器宣布將在中國成都設立12英寸晶圓凸點加工廠，以擴展公司的製造能力。

在成都新增的製造工藝將進一步提高TI 的12英寸模擬晶圓製造產能，並在更大程度上滿足客戶需求。

在宣布即將設立新的晶圓凸點加工廠的同時，TI的第七個封裝、測試廠也於今天舉行了開業典禮。

該封裝、測試廠占地面積達33, 260平方米，採用先進的方形扁平無引腳 (QFN) 封裝技術，目前已通過認證並投產。

2010年，TI在成都建立了中國大陸的第一家晶圓廠。

今天開業的封裝、測試廠毗鄰晶圓廠，標誌著TI在中國的製造投資規模與範圍持續增長。

而通過在成都市高新區設立12英寸晶圓凸點加工廠，TI將會進一步拓展其在成都的業務運營。

TI高級副總裁、全球技術與製造部總經理Kevin Ritchie表示：「成都高新區提供了優良的投資環境和政務服務，在中國西部經濟發展中展示了極大活力。

我們很高興能將12英寸製造能力引入TI位於成都的世界級製造基地，從而進一步確保產品的持續供應，為客戶增長提供支持。

」

晶圓凸點是在封裝之前完成的製造工藝，屬於先進的封裝技術。

該工藝通過在晶圓級器件上製造凸點狀或球狀接合物以實現接合，從而取代傳統的打線接合技術。

大約40%的TI晶圓生產在工藝過程中採用了凸點技術。

此項投資計劃並未改變TI的資本支出預期，TI仍將保持約占營收4%的資本支出水平。

TI為廣大中國客戶提供服務已經超過28年。

除了在成都的製造業布局，TI在中國已建立了18家銷售和應用支持辦事處，在包括成都在內的城市建立了4個研發中心以及一個位於上海的產品分撥中心。

今天新開業的封裝、測試廠以及即將建立的12英寸晶圓凸點加工廠使TI能為日益壯大的客戶群提供更高效的服務和支持，覆蓋從設計、製造、銷售到產品配送的每一個環節。

格羅方德：與重慶政府合建12寸晶圓廠

全球晶圓代工第二大廠格羅方德今年5月底宣布，與中國重慶市政府簽署合作備忘錄（MOU），將透過合資的方式在當地設立12 吋晶圓廠，加大全球生產基地的布局，格羅方德強調，同時也將加大設計支援服務的投資，以因應當地客戶需求。

據悉，重慶市政府將提供土地與現有廠房，格羅方德將負責技術的升級，現有廠房將從8 吋晶圓廠，提升為12 吋晶圓廠，根據科技新報取得的消息，該現有廠房為台灣DRAM 廠茂德出售的舊廠房，格羅方德指稱，屆時將采新加坡廠的生產驗證技術。

官方預計，該廠房於2017 年即可重新啟用、量產，惟格羅方德未透露新廠採用的技術節點、初期產能等資訊。

格羅方德在北京、上海設有設計中心，主要著重在特殊應用IC（application-specific integrated circuit,ASIC）領域、各技術節點代工設計服務。

格羅方德執行長Sanjay Jha表示，中國消費了全球一半以上的半導體晶片，是成長最快的市場，並且還擁有極具競爭力的無廠半導體（fabless）設計公司，整體產業鏈成長快速，希望藉由這次與重慶合作，共同拓展中國客戶。

重慶市長黃奇帆則指出，在「十三五」期間，重慶將繼續發展智能IC與其他戰略新興產業，而這次格羅方德與重慶合作，將進一步完善重慶的電子信息產業鏈。

但從目前的狀況來看，合資較難採用先進位程

格羅方德雖然是全球第2大晶圓代工業者，但在14與28納米的領域方面卻始終不如台積電與三星等競爭對手，使得公司曾經連續兩年大幅虧損7億與15億美元。

而市場有分析指出，格羅方德是採用合資的方式在重慶設廠，所以可能不會採用最先進的製程以免技術外流，但台積電在南京則是獨資設廠，就比較沒有這技術外流的憂慮，因此在製程技術方面，台積電的南京廠仍可能略為領先格羅方德的重慶產線。

聯電：廈門建12寸廠

根據福建日報在今年四月的的報導，總投資金額預計達62億美元的聯電與廈門政府合資興建的的廈門聯芯12吋廠，目前的興建建度順利，土建工程已完成總工程進度的80%，而且已經如期在本月1日進行設備安裝的工程。

估計若一切順利，聯芯將於2016年年底投產，屆時採用 55/40納米產能的聯芯，每月可達到6,000片12吋晶圓的數量。

未來聯電還預計將啟動第二座12吋廠的興建計畫，若能在規劃的2021年12月進入量產，整體聯芯的產能達到每月5萬片，年產能60萬片的產能。

據報導指出，聯芯正式於廈門落腳之後，也帶動了台灣上下游配套企業到廈門高新區投資考察，並且已有十多個配套項目確定會廈門火炬高新區。

若聯芯的第二座12 吋廠能順利動工，將有機會提高聯電的資本支出，為台灣的半導體業再注入活水。

聯電錶示，其廈門廠年底投產技術為55/40 納米，非報導中所述的28 納米，因此完全符合政府單位要求赴中國投資的製程技術需落後台灣一個世代以上（N- 1）的要求。

而在今年11月，晶圓代工大廠聯電宣布，與大陸廈門市政府合資興建的廈門12吋晶圓廠聯芯集成電路於11月16日舉辦盛大的開幕典禮。

聯電錶示，廈門12吋晶圓廠打破紀錄，自去年3月動工以來，僅20個月即開始量產客戶產品，目前已有客戶在廈門廠以40納米製程投片生產通訊晶片，產品良率已逾99％。

聯電廈門12吋廠去年動土興建，今年6月中旬首度交付試產，7月底完成試產，且試產良率高達98％，隨後在9月底通過客戶驗證並進行投片，預計11月後開始出貨並貢獻營收。

在產能布建上，今年第4季月產能約達3千片，明年逐季擴充產能下，2018年第二季平均月產能就可達到2.5萬片規模。

聯芯去年舉行動土典禮時，高通總裁Derek Aberle意外現身，代表高通及聯電之間的合作將更加深化。

也因此，業界人士認為，聯芯55/40納米製程可用來生產嵌入式晶片、CMOS影像感測器、通訊晶片等，高通將成為聯芯主要客戶之一。

由於大陸官方積極扶植當地半導體產業，聯芯今年第4季順利進入量產階段，不僅可以爭取到當地IC設計業者訂單，也能降低與紅色供應鏈競爭的壓力，在全球半導體市場競局版圖中，聯電可說領先對手，提早完成卡位大陸12吋晶圓代工市場的布局。

聯電執行長顏博文表示，聯芯自2015年3月動工以來，在短短1年內即建成無塵室進行裝機，並在8個月內完成試產驗證並進入量產。

聯芯在擁有聯電堅實的技術專業，和超過35年製造經驗的優勢下，定能為大陸及全球IC設計公司提供製造服務，滿足大陸龐大的電子產品市場需求，這將是全球IC客戶在晶圓製造領域上，尋求降低地緣風險及在地生產的最佳選擇。

聯芯集成電路為聯電、廈門市人民政府、與福建省電子資訊集團三方共同成立的合資晶圓製造公司，為中國華南首座12吋晶圓專工廠。

初期導入聯電的55/40納米製程量產技術，隨著產能逐年擴充，規劃總產能為每月高達5萬片12吋晶圓。

聯電指出，選擇在廈門設立晶圓廠，主要著眼於廈門地理位置鄰近台灣，文化、語言和氣候都相當類似，可獲得台灣聯電總部的無縫支持等。

此外，廈門具備健全完善的基礎建設，可提供豐富的工程人才資源與各項後勤支持。

聯電於中國現已有位於蘇州的和艦8吋晶圓廠，而聯芯的設立將可為全球客戶提供更完備的晶圓專工服務。

一些想法

外資投入中國建廠，名譽上是為了將技術引進中國，其實很多時候對於我們還是有防備的，中國如何在當中掌握好技術，這就需要更深層的考慮，這也是另一個話題了。

但對於中國來說，與這些先進廠商的合作無疑是大有進步的，展望中國半導體真正崛起的一天。

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