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全球晶圓廠步入冬眠 台積電卻一枝獨秀

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來源：中時電子報（台）

國際半導體產業協會（SEMI）昨（18）日公布全球晶圓廠預測報告（World Fab Forecast Report），預期2019年全球晶圓廠設備投資金額將下調，由原先預估的年成長7％下調15個百分點至年衰退8％。

不過，在台積電積極布建5納米晶圓廠情況下，台灣明年晶圓廠支出金額將逆勢出現高達24％的年成長率。

SEMI台灣區總裁曹世綸表示，存儲器價格下跌與中美貿易戰之下導致公司投資計劃改變，為晶圓廠資本投資快速下滑兩大主因，其中又以先進存儲器製造商、中國大陸晶圓廠、及28納米或以上成熟製程業者的資本支出縮減影響全球市場最劇。

SEMI表示，進入2018年時，全球半導體晶圓廠設備市場原先預測將延續罕見的連續4年成長直至2019年。

但其實早在今年8月時，SEMI綜合收集分析全球超過400間晶圓廠主要投資計劃後，便預測2018年下半年至2019年上半年晶圓廠投資金額將呈下滑態勢，包括將2018全年投資金額由8月時預估的年成長14％下修4個百分點至年成長10％，2019全年投資金額更是明顯下修，由原先預估的年成長7％下修15個百分點至年衰退8％。

且有鑑於近期的市場情勢，下滑幅度恐將較原先預期更為劇烈；報告指出，2018年下半年及2019年上半年晶圓設備銷售金額分別將下滑13及16個百分點，直至2019年下半年才有望出現轉圜。

但由2019年各地區的晶圓廠支出金額變化來看，韓國存儲器雙雄三星及SK海力士大砍資本支出，不僅導致明年韓國晶圓廠支出金額年減35％，亦是造成明年全球晶圓廠支出金額下滑的重要關鍵。

至於台灣明年晶圓廠支出金額逆勢出現高達24％的年增率，主要是受惠於晶圓代工龍頭台積電加快5納米晶圓廠Fab 18的產能布建。

SEMI表示，今年NAND Flash價格急跌，DRAM價格也在第四季鬆動，存儲器業者快速反應市場情況，並減少資本支出，並暫緩所有已訂購設備出貨。

整體來看，2019年整體存儲器資本支出將年減19％，其中DRAM下滑最劇烈幅度達23％，3DNAND則下滑約13％。

至於受到全球矚目的中國大陸，明年晶圓廠設備投資金額已由原本預估的170億美元下修到119.57億美元，其中原因包括存儲器市況不佳、美中貿易戰導致兩國關係緊張、以及對大環境不確定導致建廠計劃延宕等，包括SK海力士、格芯（GlobalFoundries）、聯電、中芯等均暫緩大陸投資力道，福建晉華DRAM投資計劃也已喊停。

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