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全球半導體資本支出今年看增6% 台積電退居第三

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市調機構統計指出，今年全球半導體資本支出將較去年再增加6%，預期三星、英特爾今年資本支出均年增逾兩位數，台積電則小減2%，使得台積電今年資本支出預估100億美元，低於英特爾的120億美元、退居第三位。

IC Insights統計，今年全球半導體資本支出將達723.05億美元，其中，韓國三星今年資本支出居冠為125億美元，年增11%；美國英特爾估為120億美元，今年資本支出較去年大幅增加25%。

台積電去年資本支出估約102.49億美元新高，今年則是100億美元，居於第三。

IC Insights統計中看出，前十大廠商有兩家今年資本支出成長在兩成以上，分別是英特爾的年增25%與格羅方德（GlobalFoundries）的33%。

格羅方德去年資本支出大減62%，今年資本支出為20億美元，且預計直接挑戰7奈米製程。

目前英特爾也在衝刺7奈米製程。

台積電更取得優勢地位；董事長張忠謀2日表示，今年全球半導體市場會表現不錯，預估將較去年成長4%-5%，台積電會優於產業成長率，預估今年台積電營收會有5%-10%成長，台積電的製程技術亦超越任何競爭者。

另外，DRAM市況持續看好，三星、海力士預估將增加資本支出11%與16%。

另一家內存廠美光，去年資本支出成長28%；美光去年底收購華亞科後，今年資本支出則年減13%為50億美元。

此外，中國大陸晶圓代工廠中芯去年資本支出大增87%，但今年預估資本支出年減12%為23億美元。

至於聯電去年資本支出估達28.42億美元新高，今年預估降3成至20億美元。

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