中芯國際14納米製程良率達95%，距明年量產再進一步

2020-08-31

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據TechNews6月14日報導，根據中國供應鏈傳出的消息指出，中國最大的晶圓代工廠中芯國際，目前最新的14納米FinFET製程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到 95%的水準。

因此，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠了。

據了解，根據中芯國際最新的財報顯示，目前中芯國際最先進的製程為28納米。

但是以2018年第1季的財報數字來看，28納米占其營收不過3.2%，相較聯電、英特爾等先進位程發展較慢的廠商來說，落後的一個世代以上，更罔論與先進位程開發進度較快的台積電、格羅方德、三星等企業已經準備切入7納米製程相較，更是足足落後3個世代以上。

而為了追趕這樣的落差，中芯國際不但在2017年底延攬前三星電子及台積電的高層梁孟松來擔任聯席首席CEO的職務。

主要就是希望藉由他過去的經驗，指導中芯國際在發展14納米 FinFET 製程上的進程，使中芯國際的14納米 FinFET 製程能在 2019年達成量產的目標之外，還在2018年初宣布，將聯同兩大政府產業基金共同投資102.4億美元，以加快14納米及以下先進位程研發和量產計劃，最終達成每月量產3.5萬片的目標。

如今，在中芯國際的14納米 FinFET 製程達到良率95%的情況下，等於是向目標又邁進了一大步。

事實上，隨著28納米 Poly/SiON 製程技術成功量產，再加上2018年2月成功試產客戶採用28納米 High-K/Metal Gate（HKMG）製程技術的產品，試產良率高達98%之後，與台灣地區的聯電有著緊密合作關係的廈門聯芯，在28納米節點上的技術快速成熟。

而這樣的消息對當前代表中國晶圓代工龍頭的中芯來說，因為在28納米HKMG製程良率一直不如預期，而且在過去14納米FinFET製程上又無法突破的情況下，幾乎要拱手讓出中國晶圓代工龍頭的位置。

如今，在14納米 FinFET 製程技術上取得了突破，並向量產目標邁開腳步，才讓中芯國際再保住龍頭的位置。

此外，除了對內與聯芯的競爭外，中芯國際在14納米 FinFET 製程上的突破，也象徵著拉近了與國際一線晶圓代工大廠的距離。

除了台積電、格羅方德、三星都在積極布局7納米製程，並且最快2018年底前就能有產品出現之外，包括聯電、英特爾都還在14納米節點的位置上。

尤其是英特爾，在14納米製程上，預計還將使用到2019年後。

在這方面來說，中芯國際未來一但14納米 FinFET 製程正式進入量產，則中國市場上目前交由海外代工的產品，就有可能落到中芯國際的手上進行代工。

對中芯國際來說會是利多，但對其他的競爭對手而言就可能不是太好的消息。

根據中國業內消息人士指出，雖然過去曾有中國大基金擬向格羅方德購買技術，強化中芯國際14納米 FinFET 製程的消息。

但是，這次似乎是梁孟松及其他所帶領的團隊發揮的作用，進一步將中芯國際的14納米製程拉上。

只是，消息人士也指出，這事情光靠梁孟松一人並不可能辦到，而是梁孟松過去從台灣地區及韓國帶走的相關人員一起努力的結果。

所以，中心國際線在已經達到了14納米研發成功的階段，下一階段就必須看14納米製程能為公司帶來多少效益了。

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2020-09-12