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台積電7納米 可望提前量產

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晶圓代工龍頭台積電10納米製程如期在第4季進入認證階段，明年第1季開始接受客戶晶片設計定案（tape-out），由於業界普遍認為10納米是個過渡製程，包括可程序邏輯門陣列（FPGA）大廠賽靈思（Xilinx）已決定跳過10納米直接轉進7納米，因此，台積電7納米研發正在加快速度，希望可以提前在2018年下半年進入量產。

台積電16納米已進入量產階段，下一世代10納米製程推進符合預期。

與16納米加強版鰭式場效電晶體製程（FinFET Plus）相較，台積電10納米製程的晶片密度可提高2.1倍、效能提升20%，功耗可降低40%，今年第4季可完成製程研發並開始進入認證階段，明年第1季就可開始接受客戶晶片設計定案，2016年底或2017年初可進入量產，在進度上已明顯追上英特爾腳步。

不過，台積電客戶的晶片推進，10納米效能提升幅度不足以滿足實際需求，所以業界普遍認為，10納米看來會跟20納米製程一樣，屬於過渡型製程，7納米才會是下一世代、擁有較長生命周期的節點。

如賽靈思已對外指出，最高階FPGA晶片目前採用16納米量產，但下一代晶片將跳過10納米並直接採用7納米量產。

對台積電來說，10納米將成為7納米量產之前，提高良率及走過製程學習曲線的重要階段，因此，就好像20納米及16納米間的關係，台積電現在在竹科12寸廠Fab12、中科12寸廠Fab15興建的10納米晶圓廠，有高達9成設備將可直接支持7納米，等於是以最小的投資來建立最具效益的產能。

來源：中時電子報

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