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三星量產第2代10nm FinFET工藝SoC 明年首季推出

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三星表示，10LPP技術針對低功耗產品所研發，相較於第1代的10LPE在製程可使性能提高10%、功耗降低15%。

該製程延續於已量產中的10LPE製程，將大幅縮短從開發到大量生產的準備時間，並提供更高的初期生產良率，因此更具有市場競爭優勢。

三星稱，預計將於2018年首季推出採用10LPP製程技術製造的電子產品。

因為在晶圓處理上和10nm LPE有跟多共同點，所以三星承諾不僅不會有跳票的情況發生，同時也會擴展客戶數量。

為此，三星位於華城（Hwaseong）的S3工廠也為量產做好了準備，目前正準備加速生產10納米及其以下製程技術。

三星華城S3工廠

據了解，華城S3工廠是三星晶圓代工業務的第3座晶圓廠，其它兩座分別是位於韓國京畿道的器興(Giheung)的S1以及位於美國奧斯汀的S2。

根據規劃，三星的7納米FinFET製程技術與EUV(ExtremeUltraViolet)技術也預計將在S3晶圓廠中於2018年開始大量生產。

另據Engadget、ZDNet報導，由三星代工的高通驍龍845極大可能會運用10LPP技術，三星Galaxy S9搭載的Exynos 9810處理器將會使用該工藝。

有消息稱，三星8nm LPP製程工藝的技術驗證工作也已完成，將於不久之後大規模量產。

三星表示，相比於 10nm 製程，全新8nm製程的晶片不僅面積能縮減 10%，功耗也能降低10%。

該工藝正式投產後，將會定位於高端旗艦市場。

有媒體報導稱，三星和高通也在推進8nm工藝，首款產品（驍龍855或者伺服器晶片）將在明年秋季推出。

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