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聯電14nm晶片量產，廈門聯芯推進到28nm

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集微網消息，半導體市況好熱鬧，就在台積電透露5nm將在2019年試產之際，聯電23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術，已成功進入客戶晶片量產階段，良率已達先進位程的業界競爭水平，此製程將幫助客戶開拓嶄新的應用於電子產品。

聯電CEO顏博文表示，這次達成14nm量產的里程碑，象徵聯電成功攜手客戶，將先進技術導入市場，同時與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續優化此製程，充分發揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優勢，以驅動次世代矽晶片於網絡、人工智慧和各類消費產品等各領域的應用。

聯電14納米 FinFET製程效能競爭力已達業界領先標準，速度較28nm增快55%，閘密度則達兩倍，此外，功耗亦較28奈米減少約50%。

此14nm客戶晶片現正於聯華電子台南的Fab 12A晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充其14nm產能。

聯電宣布自主研發的14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術，也宣告聯電已決定將廈門聯芯的晶圓製程推進到28nm量產，搶食在大陸製造最大一塊的手機和網通晶片代工商機。

顏博文強調，14納米FinFET製程效能競爭力已達業界標準，速度比28 nm增快55%，閘密度達兩倍，而且晶片功耗也較28nm減少約50%。

因聯電28nm製程良率相當穩定，也是目前市場中端手機晶片和高端網絡晶片需求最迫切的製程，預料聯電將會把重心集中衝刺聯芯將製程推升至28nm，挾大陸製造，擠下強敵中芯，在28nm拉升市占，讓聯電搶食大陸快速崛起的晶片大餅，打通任督二脈。

聯電目前與和艦共持有聯芯50%股權，聯芯去年11月開幕，導入聯電的55奈米及40奈米製程技術生產。

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