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三星挑戰矽基半導體極限 即將宣布3nm以下工藝路線圖

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在半導體晶圓代工市場上，台積電TSMC是全球一哥，一家就占據了全球50%以上的份額，而且率先量產7nm等先進工藝，官方表示該工藝領先友商一年時間，明年就會量產5nm工藝。

在台積電之外，三星也在加大先進工藝的追趕，目前的路線圖已經到了3nm工藝節點，下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖，緊逼台積電，而且會一步步挑戰摩爾定律極限。

在半導體工藝上，台積電去年量產了7nm工藝(N7+)，今年是量產第二代7nm工藝(N7+)，而且會用上EUV光刻工藝，2020年則會轉向5nm節點，目前已經開始在Fab 18工廠上進行了風險試產，2020年第二季度正式商業化量產。

明年的5nm工藝是第一代5nm，之後還會有升級版的5nm Plus(5nm+)工藝，預計在2020年第一季度風險試產，2021年正式量產。

三星這邊去年也公布了一系列路線圖，而且比台積電還激進，直接進入EUV光刻時代，去年就說量產了7nm EUV工藝，之後還有5nm工藝，而3nm工藝節點則會啟用GAA電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。

3nm之後呢?目前台積電、三星甚至Intel都沒有提及3nm之後的矽基半導體工藝路線圖，此前公認3nm節點是摩爾定律最終失效的時刻，隨著電晶體的縮小會遇到物理上的極限考驗。

三星將在5月14日舉行2019年度的SSF晶圓代工論壇會議，消息稱三星將在這次會議上公布3nm以下的工藝技術，而三星在這個領域的進展就影響未來的半導體晶圓代工市場格局。



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