三星7nm LPP正式到來,全球首發EUV光刻工藝|半導體行業觀察
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來源:內容由 微信公眾號 半導體行業觀察 (ID:icbank) 綜合自「快科技」,謝謝。
這兩年為三星半導體業務立功最大的是存儲晶片部門,貢獻的營收、利潤達到七八成,而三星的晶圓代工業務雖然有高通這樣的VIP客戶,但在7nm節點上高通會轉投回台積電,三星要想拉攏到更多的客戶,只能從工藝技術上著手了。
這也是三星為什麼跳過非EUV工藝的7nm工藝,直接上7nm LPP EUV工藝的原因,如今他們的7nm
LPP工藝已經完成了Synopsys的物理認證,意味著7nm EUV工藝全球首發了。
在幾大半導體公司中,英特爾的10nm還沒搞定,7nm就更遙遠了,台積電的7nm工藝(N7工藝)量產比較順利,會有蘋果、海思、高通、NVIDIA、AMD等客戶陸續流片、量產,不過台積電的第一代7nm工藝還是傳統的多重曝光工藝,2019年的N7 Plus工藝才會使用EUV光刻工藝。
Globalfoundries這邊也是類似的路線,今年量產的7nm DUV還是傳統的深紫外光刻工藝,此前號稱頻率可達5GHz,AMD的7nm Zen 2處理器會使用Globalfoundries的7nm工藝,明年初問世,2020年的再下一代才是7nm EUV工藝。
三星在EUV工藝上市最激進的,直接跳過了第一代非EUV光刻的7nm工藝,根據之前的路線圖,三星第一個使用EUV工藝的就是7nm LPP工藝,預定今年下半年量產。
日前Synopsys與三星聯合宣布已經使用後者的7nm LPP工藝完成了IC驗證器的認證工作。
這次認證完成之後,三星的7nm LPP工藝可以立即提供認證的運行庫,包括DRC設計規則檢查、LVS布局與原理圖、金屬填充技術文件等等,這也意味著三星的7nm LPP工藝走入了正軌。
根據之前的消息,ASML的EUV光刻機中,台積電訂購了大約10台,三星訂購了大約6台,英特爾訂購了3台,Globalfoundries的EUV訂單數量不詳,國內的中芯國際也訂購了1台EUV光刻機用於7nm工藝研究,明年初交貨。
三星更新技術路線圖:7nm 2019年規模量產、新增8nm LPU
日前,三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇(SFF)2018年會,更新了技術路線圖。
簡單來說,主要有三點,一是基於EUV技術的7nm製程工藝會在接下來幾個季度內大規模量產(初期EUV僅用於選擇層),二是導入8nm LPU工藝,三是重申,圍繞3nm節點,將引入閘極全環場效電晶體(Gate-all-aroundFET,GAAFET),來取代FinFET(鰭式場效應電晶體)。
關於第一點,三星稱已經在韓國華城的S3工廠配置了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻機,投資6萬億韓元的新EUV產線預計2019年竣工,2020年擴大生產規模。
目前,官宣採用三星7nm LPP工藝的是高通驍龍5G SoC。
關於第二點,8nm LPU(low power ultimate)是8nm LPP的改良版,後者比10nm LPP減少10%的晶片面積和10%的功耗,看起來LPU將進一步在功耗、面積上做文章。
由於三星7nm LPP補充產能需要等到2020年,此間就是8nm在市場大展拳腳的契機。
按照ZDNet的說法,高通也是三星8nm的客戶。
至於第三點,三星將FinFET技術的極限發揮到5nm LPE和4nm LPP,計劃2019年風險試產。
不過到了3nm時代,晶片越做越小,電流信道寬度不斷變窄,難以控制電流方向,三星提出了GAAFET方案,定於2020年早些時候試產。
另外,三星還表示,2019年,單晶片封裝技術3D SiP將準備就緒。
三星7nm LPP工藝來了,全球首發EUV光刻工藝
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